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李映雪

作品数：33 被引量：33H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金高等学校国家重点实验室和教育部重点实验室访问学者专项基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 31篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 15篇SOI
  • 7篇电路
  • 7篇SIMOX
  • 6篇退火
  • 6篇SIMOX材...
  • 4篇全耗尽
  • 4篇集成电路
  • 4篇硅化物
  • 4篇MOSFET
  • 3篇自对准
  • 3篇自对准硅化物
  • 3篇光谱
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇光致发光谱
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 3篇薄膜全耗尽
  • 3篇硅
  • 3篇CMOS

机构

  • 31篇北京大学
  • 6篇北京师范大学
  • 4篇北京理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇公安部第一研...

作者

  • 33篇李映雪
  • 23篇王阳元
  • 12篇张兴
  • 11篇奚雪梅
  • 7篇武国英
  • 6篇魏丽琼
  • 5篇程玉华
  • 4篇林鸿溢
  • 3篇赵清太
  • 3篇林成鲁
  • 3篇孙玉秀
  • 3篇黄如
  • 3篇徐立
  • 3篇阎桂珍
  • 3篇王兆江
  • 2篇罗晏
  • 2篇甘学温
  • 2篇陈南翔
  • 1篇马芙蓉
  • 1篇李国辉

传媒

  • 11篇Journa...
  • 6篇电子学报
  • 5篇微电子学与计...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇测试技术学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇中国兵工学会...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 5篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 5篇1996
  • 9篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
微电子技术的进展与挑战被引量：4
1999年
微电子技术自巴丁、布拉顿和肖克莱发明晶体管至今，经历了半个世纪的发展，已经取得巨大进步，成为人类社会众多领域的关键技术，从而有力地推动。
林鸿溢李映雪
关键词：微电子技术集成电路纳米电子学微机电系统单芯片系统
a—Si:H薄膜显微形貌的图象处理被引量：1
1991年
用动态方法跟踪观测a-Si:H薄膜原位退火过程中发生的晶化现象,获得晶化形貌的显徽图象,通过对图象的数字采集和计算,得到a-Si:H薄膜样品在不同退火温度下,显徽图像的Sandbox关系曲线。结果表明,在一定条件下所形成的微结构具有分形结构特性。计算了显徽图象的分维,讨论了a-Si:H薄膜结构驰豫(相变)与分形结构形成的关系。
林鸿溢沈庭芝李映雪
关键词：非晶硅薄膜退火晶体图象处理
纳米Si薄膜的压阻效应
1998年
纳米Ｓｉ薄膜由大量的超微Ｓｉ晶粒和大量的晶粒间界面区组成。这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应。本文讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。认为纳米Ｓｉ薄膜材料是一种优秀的传感器材料。
林鸿溢李映雪
关键词：纳米硅薄膜压阻效应
超薄SOI应用SALICIDE技术的薄膜厚度优化研究
1995年
在ＳＯＩ材料上采用钴（Ｃｏ）自对准硅化物技术，研究了减薄后的ＳＯＩ上钻溅射厚度的优化问题，着重分析了在硅膜厚度一定时钴膜厚度改变、钴膜厚度不变而硅膜厚度变化对硅化物形成后薄层电阻的影响。实验表明，采用ＴＣｏ：ＴＳｉ≈１：３．６的近似方法优化粘膜厚度，会得到薄层电阻最低的硅化接触，改善其接触特性。
奚雪梅徐立闫桂珍孟宪馨李映雪王阳元
关键词：SOI自对准硅化物厚度最佳化
退火方式和气氛对SIMOX材料质量的影响
1995年
本文较为详细地研究了退火程序、退火气氛和注人方式对ＳＩＭＯＸ材料质量的影响，结果表明，采用二重或三重注人并在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面和高质量的表面硅层。
李映雪王兆江张兴奚雪梅王阳元姚淑德林成鲁
关键词：退火SIMOX硅
短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造
1995年
本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。
张兴李映雪奚雪梅王阳元石涌泉
关键词：CMOS器件集成电路
自对准硅化物SOI／CMOS技术研究
1995年
在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实．验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间．提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。
徐立奚雪梅武国英李映雪王阳元
关键词：自对准硅化物SOICMOS集成电路
薄膜全耗尽SOI　MOSFET单晶体管Latch效应被引量：1
1995年
本文在详细分析各种不同条件下全耗尽ＭＯＳＦＥＴ单晶体管Ｌａｔｃｈ效应测试结果的基础上，较为详细地讨论了单晶体管Ｌａｔｃｈ效应的物理机理，发现单管Ｌａｔｃｈ效应与ＭＯＳＦＥＴ的寄生双极晶体管有着极其密切的关系，最后还给出了相应的改进措施。
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：场效应晶体管SOI
退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响被引量：3
1996年
利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因．
李映雪奚雪梅王兆江张兴王阳元林成鲁
关键词：SIMOX材料硅二氧化硅退火
硅膜厚度和背栅对SIMOX／SOI薄膜全耗尽MOSFET特性影响的研究被引量：1
1995年
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全消除了＂Ｋｉｎｋ＂效应，低场电子迁移率典型值为６２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，空穴迁移率为２１０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，泄漏电流低于１０－１２Ａ；随着硅膜厚度的减簿，器件的驱动电流明显增加，亚阈值特性得到改善；全耗尽器件正、背栅之间有强烈的耦合作用，背表面状况可以对器件特性产生明显影响．该工作为以后薄膜全耗尽ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ电路的研制与分析奠定了基础．
魏丽琼程玉华孙玉秀阎桂珍李映雪武国英王阳元
关键词：MOSFETSIMOXSOI背栅
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