杨盛谊
- 作品数：60 被引量：54H指数：4
- 供职机构：北京理工大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程电气工程更多>>
- 一种反溶剂法制备钙钛矿纳米线的方法及光电探测器
- 本发明涉及一种反溶剂法制备钙钛矿纳米线的方法及光电探测器，属于钙钛矿材料及器件技术领域。通过将PbX<Sub>2</Sub>溶于DMF中，以大于等于150rpm的速率搅拌的同时逐滴加入异丙醇，滴加结束后，在18℃～30℃...
- 杨盛谊高坦博蒋玉蓉
- 硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法
- 本发明公开了一种硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法从上至下分别为PEDOT:PSS顶电极(乙二醇处理)、PbSe量子点薄膜层、ZnO体材料薄膜层、硅纳米线阵列层和硅底电极。经过乙二醇处理的PEDOT:PSS...
- 杨盛谊吴颖
- 铥、铽及铕离子掺杂的BaAl_2O_4膜的阴极射线发光特性被引量：1
- 2007年
- 利用喷雾热解法合成了Tm、Tb及Eu离子掺杂的铝酸钡(BaAl2O4)发光膜,研究了合成条件对其结构和发光特性的影响。在退火温度达到700℃时,生成了BaAl2O4膜。Tm3+和Tb3+掺杂的BaAl2O4膜分别发蓝光和绿光,而Eu3+掺杂的BaAl2O4膜的发光既有Eu2+的特征发射——宽的蓝光发射带,也有Eu3+的特征发射——窄的红光发射峰。BaAl2O4∶Tm3+的发射主峰位于462nm,在电压为5kV和电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光(CL)亮度可达25cd/m2,效率可达0.11lm/W。BaAl2O4∶Tb3+的发射主峰位于549nm,在相同的条件下,其阴极射线发光亮度可达120cd/m2,效率可达0.55lm/W。BaAl2O4∶Eu3+的发射主峰位于616nm,其阴极射线发光亮度为50cd/m2,效率为0.23lm/W。BaAl2O4∶Eu2+发蓝光,峰值位于452nm,其阴极射线发光亮度为640cd/m2,效率为2.93lm/W。
- 娄志东衣兰杰滕枫徐征杨盛谊
- 关键词：喷雾热解法阴极射线发光
- 基于碳纳米管的共轭聚合物太阳电池
- 闫静英倪婷杨盛谊
- 关键词：单壁碳纳米管光电性能
- 喷雾热解法制备的SrWO_4膜的阴极射线发光被引量：2
- 2007年
- 利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响。生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO24-的电荷转移跃迁引起的。发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大。在SrWO4膜中掺入银离子Ag+和镧离子La3+后,不影响其发光特性,但铕离子Eu3+的掺入对发光特性有影响。
- 娄志东衣兰杰滕枫杨盛谊
- 关键词：喷雾热解法阴极射线发光
- 基于窄带隙量子点的光电探测器及太阳电池研究
- 点,又可称为纳米晶,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光.基于量子效应，量子点在太阳能电池、发光器件、光学生物标记等领域具有广泛的应用前景。另外，碳纳米管（又名巴基管...
- 杨盛谊张丽杨丹王依山王好伟李志肖邹炳锁薛唯
- 关键词：量子点电学性能光电探测器太阳电池
- 界面效应与体效应在有机复合发光中的相互制约及其对复合发光的影响
- 该文主要对有机薄膜电致发光器件中载流子的传输、隧穿以及电导等基本问题进行了系统、深入的研究.首先,我们研究了单层结构的有机电致发光器件.在Fowler-Nordheim隧穿注入理论的基础上考虑进体内电阻对载流子注入电流密...
- 杨盛谊
- 关键词：有机电致发光光致发光发光层
- 文献传递
- 基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及制备方法
- 本发明涉及基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在p型硅衬底的一面上蒸镀导电电极形成欧姆接触，并与硅衬底一起作为栅极，然后将无机介电绝缘材料蒸镀到p型硅衬底的另一面上，再将导电源极蒸镀到无机介电绝缘层上...
- 杨盛谊娄志东邓振波
- 文献传递
- 基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器被引量：2
- 2015年
- 并五苯(Pentacene)具有优良的场效应晶体管特性及在可见光区的高吸收系数,被广泛应用于光敏(电)晶体管中.垂直晶体管的沟道长度可做到纳米量级,能有效提高器件的性能和工作频率,同时降低能耗.本文制备了一种基于垂直晶体管结构的低电压并五苯光电探测器ITO(S)/Pentacene/Al(G)/Pentacene/Au(D).实验发现,在工作电压低至-3 V时,并五苯光电探测器ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80nm)/Au的阈值电压为-0.9 V,"开/关"电流比为104,表现出了良好的P型晶体管特性以及低电压调控性能.在350—750 nm的不同波长单色光照射下,器件的"明/暗"电流比和响应度随入射波长而变化;在350nm单色光照射下,该光电探测器的"明/暗"电流比的最大值达到308,其对应的响应度为219 m A·W-1,大于标准硅基探测器在350 nm单色光照射下的探测率.这为制备低电压下工作的高灵敏度全有机光电探测器提供了一种可行的方法.
- 杨丹张丽杨盛谊邹炳锁
- 关键词：响应度并五苯
- 白光LED用荧光粉Sr2CeO4：Sm3+(Mn2+，Tb3+)的研究
- 自从1993年日本日亚化学公司(Nichia Chemical)率先在蓝色 GaN LED 技术上实现突破．以 LED 为基板实现白光 LED 有多种方案．其中以蓝光 LED 加上黄色荧光粉(铈激活的钇铝石榴石 YAG：...
- 衣兰杰娄志东杨盛谊
- 文献传递
