桂永胜
- 作品数：43 被引量：50H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究被引量：2
- 1998年
- 利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．
- 桂永胜郑国珍蔡毅蔡毅
- 关键词：汞镉碲光导器件
- 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究
- 2006年
- 通过改变温度和磁场方向对调制掺杂的n型Hg0·82Cd0·16Mn0·02Te/Hg0·3Cd0·7Te第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡进行了深入的研究,发现不仅温度的变化能够引起磁阻拍频节点位置的变化.而且改变磁场方向,可以分别调整塞曼分裂和朗道分裂.从对拍频的分析中,可以将依赖于磁场垂直方向的朗道能级分裂和依赖于整个磁场大小的塞曼分裂区分开来.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕仇志军郭少令张福甲褚君浩
- 关键词：拍频
- n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究被引量：2
- 1998年
- 利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势．由定量迁移率谱得到的结果与ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ测量结果以及理论计算的结果非常符合．
- 桂永胜褚君浩蔡毅蔡毅郑国珍
- 关键词：电子迁移率
- 高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系被引量：2
- 1996年
- 在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。
- 桂永胜蔡毅郑国珍褚君浩郭少令汤定元
- 关键词：HGCDTE光导探测器红外探测
- 退火与未退火MM-HEMT材料中二维电子气的磁输运特性研究
- 2002年
- 采用变磁场霍耳测量,在1.5～90K的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂MM-HEMT材料中二维电子气的输运特性.通过对Shubnikov-de Hass(SdH)振荡曲线进行快速Fourier变换分析,获得了该样品沟道中子能带上的电子浓度等信息,并采用迁移率谱(MS)和多载流子拟合过程法(MFC)相结合的方法分析了该样品中子能带电子的浓度和迁移率.该方法与SdH测量所获得的结果符合得很好,都证实了在很高的温度下退火将影响样品沟道中电子的浓度和迁移率,对材料性能起着不可低估的作用.
- 蒋春萍郭少令孙全黄志明桂永胜郑国珍褚君浩崔利杰曾一平朱战平王保强
- HgMnTe磁性二维电子气自旋-轨道和交换相互作用研究被引量：8
- 2004年
- 通过分析不同温度下HgMnTe磁性二维电子气Shubnikov deHass(SdH)振荡的拍频现象 ,研究了量子阱中电子自旋 轨道相互作用和sp d交换相互作用 .结果表明 :(1 )在零磁场下 ,电子的自旋 轨道相互作用导致电子发生零场自旋分裂 ;(2 )在弱磁场下 ,电子的自旋 轨道相互作用占主导地位 ,并受Landau分裂和Zeeman分裂的影响 ,电子的自旋分裂随磁场增加而减小 ;(3)在高磁场下 ,电子的sp d交换相互作用达到饱和 ,电子的自旋分裂主要表现为Zeeman分裂 .实验证明了当电子的Zeeman分裂能量与零场自旋分裂能量相当时 ,通过SdH振荡对 1 B关系的快速傅里叶变换 (FFT)
- 仇志军桂永胜疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：电子自旋
- 掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究被引量：1
- 2004年
- 利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气 ,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置 ,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为 4meV。此外 ,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系 .
- 仇志军桂永胜崔利杰曾一平黄志明疏小舟戴宁郭少令禇君浩
- 关键词：单量子阱输运掺杂电子对
- 半导体二维电子气的零磁场自旋分裂研究
- 桂永胜
- 该项目通过测量InGaAs/InAlAs的磁阻振荡，利用低场下的拍频效应和高场下的分裂，获得了总的自旋分裂随磁场的变化关系，首次在实验上验证了不对称二维电子气中自旋分裂在零磁场下总是不为零。
- 关键词：
- 关键词：半导体
- 光照对AlzGal-zN／GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
- @@引言： AlXGa1-xN／GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋...
- 周文政沈波唐宁韩奎郭少令桂永胜林铁商丽燕高矿红周远明魏来明俞国林褚君浩
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- Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量：1
- 2006年
- 通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.
- 朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲
- 关键词：二维电子气磁阻
