苏建修
- 作品数：252 被引量：481H指数：11
- 供职机构：河南科技学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省科技攻关计划河南省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型发动机悬置
- 一种新型发动机悬置，包括壳体、与壳体可拆卸连接的上端盖、液压装置以及设于壳体内壁上的中间通道体，中间通道体的外沿沿周向与壳体内壁抵接，且中间通道体的心部设有贯穿布设的中心孔，壳体的下端部通过橡胶元件与底部的支撑架连接。该...
- 谢文龙宁欣李勇峰苏建修闫永业
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- 旋风封止气吸波谱光照激发诱导蝗虫捕集装置
- 本发明公开了一种旋风封止气吸波谱光照激发诱导蝗虫捕集装置，包括：诱导光源系统、旋转叶片系统、捕集箱体和负压风机，所述的诱导光源系统设置于旋转叶片系统内，固连于光源防护罩上，旋转叶片系统设有直流电机、旋转轴、透明玻璃罩，叶...
- 刘启航安爱琴孔晓红庞子端苏建修陈锡渠李勇峰杜家熙
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- 二十一世纪机械制造业的产品特征及市场分析
- 2000年
- 机械制造业的变革 20世纪,随着生产力的发展,“制造”概念的内涵在“范围”和“过程”两个方面都有了很大拓展,“制造”的传统理解为“产品的机械加工过程”。近30年来,科技的进步特别是计算机技术的发展和社会环境因素的变化。
- 苏建修
- 关键词：机械制造业
- 硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验被引量：4
- 2010年
- 化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。
- 苏建修陈锡渠杜家熙宁欣康仁科
- 关键词：化学抛光非均匀性
- 一种具有自退让性的固结磨粒化学机械抛光垫及其制备方法和应用
- 本发明涉及超精密加工技术领域，尤其涉及一种具有自退让性的固结磨粒化学机械抛光垫及其制备方法和应用。本发明的固结磨粒化学机械抛光垫包括纹理层和基体层；纹理层中含有退让剂，配合基体层的压缩功能，使固结磨粒在抛光压力下具有较强...
- 苏建修王占奎李勇峰张亚奇冯宜鹏逄明华付成果刘海旭
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- 有机碱对铜CMP材料去除率作用的实验研究被引量：1
- 2008年
- 分别使用几种有机碱作为络合剂、SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,复配后分别进行相同工艺参数的抛光试验。试验结果表明:乙二胺强络合作用明显,对铜的去除率最大可以达到850.8 nm/min,表面粗糙度Ra=13.540°A;二羟基乙基乙二胺和二乙醇胺去除率较低,本试验中最大分别为71.8 nm/min和25.1 nm/min。乙二胺适合用于碱性环境下的ULSI铜抛光液,材料去除率较高的原因是有效的强络合作用与抛光参数相匹配以及化学作用和机械作用动态平衡的结果。
- 李庆忠于秀坤苏建修郭东明
- 关键词：CMP有机碱铜材料去除率
- 一种人造板废弃物同步产出合成气与氨气的系统及方法
- 本发明涉及一种人造板废弃物同步产出合成气与氨气的系统，其包括下吸式固定床气化炉、以及顺次连接的齿辊式破碎机和螺旋热解器；所述螺旋热解器的气体出口通过管道顺次连接第一引风机和第一氨气吸收塔，螺旋热解器的固体出口连接下吸式固...
- 冯宜鹏付成果苏同超张亚奇吴婷婷赵红远苏建修
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- 硅片化学机械抛光时硅片运动形式对片内非均匀性的影响分析
- 本文分析了目前几种常见的化学机械抛光(CMP)机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除...
- 苏建修郭东明康仁科金洙吉李秀娟
- 关键词：化学机械抛光
- 一种耐磨微晶氧化铝陶瓷粉体、耐磨微晶氧化铝陶瓷及制备方法和应用
- 本发明公开了一种耐磨微晶氧化铝陶瓷粉体、耐磨微晶氧化铝陶瓷及制备方法和应用，粉体采用亚微米α‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉99‑99.99％，熔剂粉0.01‑1％配比，熔剂的化学组成范围：Mg...
- 吴婷婷李勇峰赵红远张亚奇张明明冯宜鹏王占奎杨辉刘贯军付素芳苏建修
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- 一种锂离子电池锰酸锂正极材料及其制备方法
- 本发明具体涉及一种锂离子电池锰酸锂正极材料及其制备方法。本发明采用高价态掺杂和双相共包覆协同优化的方案对尖晶石型锰酸锂进行改性，克服了常规低价态掺杂和表面包覆往往会牺牲材料可逆比容量的缺点，同时显著改善了材料的结构稳定性...
- 赵红远李勇峰苏建修王占奎吴婷婷李芳李冬冬李博
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