赵春旺
- 作品数：84 被引量：245H指数：8
- 供职机构：上海海事大学文理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区高等学校科学研究项目教育部“春晖计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- La掺杂对Ni_(50)Ti_(50)形状记忆合金力学性能的影响被引量：1
- 2021年
- 元素掺杂是影响合金性能的有效方法.通过稀土元素La掺杂,近等原子比NiTi合金的微结构发生变化,进而影响其力学性能.用实验的方法研究了用少量La元素替代Ti元素形成的Ni_(50)Ti_(50-x)La_(x)(x=0.1,0.3,0.5,0.7)三元合金的力学性能.结果表明:Ni_(50)Ti_(50-x)La_(x)合金的硬度、弹性模量、屈服强度和断后伸长率随La元素掺杂量的增加而减小,拉伸强度先增大后减小,在La元素掺杂量为0.3at%时达到最大值.断口形貌分析表明:合金断裂主要为解理断裂,随着La元素掺杂量的增加,合金的塑性降低.
- 李维雅赵春旺
- 关键词：形状记忆合金沉淀相
- 反铁磁性交换作用对p、n型掺杂的GaAs居里温度的影响被引量：1
- 2010年
- 居里温度与载流子浓度反铁磁性交换作用有着密切联系,定量分析反铁磁性交换作用对p型及n型GaAs材料的居里温度的影响,计算证明,反铁磁性交换作用对p型和n型掺杂的GaAs居里温度的影响有着本质的区别。p型半导体材料的居里温度仅仅与反铁磁性交换作用有关,而与掺杂浓度无关;对n型半导体居里温度与反铁磁性交换作用和掺杂浓度都有关,而且高掺杂浓度下居里温度比低掺杂浓度下居里温度低。
- 关玉琴陈余赵春旺
- 关键词：稀磁半导体材料居里温度
- Cr掺杂对ZnO最小光学带隙和吸收光谱的影响被引量：2
- 2016年
- 当Cr掺杂ZnO的摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果。为了解决本问题,采用密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,用PBE泛函的计算方案来描述电子间的交换关联能,对未掺杂ZnO和3种不同浓度Cr掺杂ZnO超胞模型进行了能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱的计算。结果表明,当Cr掺杂摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,随着Cr掺杂量增加,掺杂体系的晶格常数和体积增大,总能量和形成能减小,结构更稳定,掺杂更容易,最小光学带隙宽度增大,吸收光谱显著蓝移。计算结果与实验结果相一致,并合理解释了存在的问题。这对制备Cr掺杂ZnO中实现短波长光学器件有一定的理论指导作用。
- 高艺涵侯清玉赵春旺
- 关键词：光学带隙吸收光谱第一性原理
- Ca掺杂纤锌矿ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：4
- 2013年
- 采用第一性原理的超软赝势方法,对ZnO、Ca掺杂ZnO的电子结构和光学性质进行了研究。结果表明,能隙宽度随掺杂浓度的增大而增大;掺杂后ZnO的光学性质发生了一些变化,静态介电常数总趋势随着掺杂浓度的增大而减小;与纯ZnO吸收谱相比,Ca掺杂后出现了新吸收峰,吸收边发生蓝移,介电函数虚部也出现了新波峰。
- 林琳赵春旺迎春
- 关键词：电子结构光学性质
- 单晶硅位错纳观应变场的极值点定位分析
- 2011年
- 本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。将应变测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比,结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确描述单晶硅位错的应变场。
- 董照实赵春旺刘道森
- 关键词：位错高分辨透射电子显微镜硅
- 应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响被引量：2
- 2020年
- 使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-1%^-3%)范围内变化时带隙变化不明显,压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明,应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响,静态介电常数随应变的增大而增大;应变使GaN的吸收系数减小.
- 温淑敏姚世伟赵春旺王细军李继军
- 关键词：氮化镓电子结构光学性质第一性原理
- V高掺杂ZnO最小光学带隙和吸收光谱的第一性原理研究
- 2014年
- 对于V高掺杂ZnO,当摩尔分数为0.0417—0.0625时,随着掺杂量的增加,吸收光谱出现蓝移减弱和蓝移增强两种不同实验结果均有文献报道.采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,构建未掺杂ZnO单胞模型、V高掺杂Zn1-xVxO(x=0.0417,0.0625)两种超胞模型,采用GGA+U方法计算掺杂前后体系的形成能、态密度、分波态密度、磁性和吸收光谱.结果表明,当V的掺杂量(原子含量)为2.083%—3.125%时,随着V掺杂量增加,掺杂体系磁矩增大,磁性增强,并且掺杂体系体积增加,总能量下降,形成能减小,掺杂体系更稳定,同时,掺杂ZnO体系的最小光学带隙增宽,吸收带边向低能级方向移动.上述计算结果与实验结果一致.
- 郭少强侯清玉赵春旺毛斐
- 关键词：光学带隙吸收光谱第一性原理
- Ni掺杂对ZnO磁光性能的影响被引量：3
- 2017年
- 在掺杂浓度范围为2.78%—6.25%(物质的量分数)时,Ni掺杂ZnO体系吸收光谱分布的实验结果存在争议,目前仍然没有合理的理论解释.为了解决存在的争议,在电子自旋极化状态下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,构建不同Ni掺杂量的ZnO超胞模型,分别对模型进行几何结构优化和能量计算.结果表明,Ni掺杂量越大,形成能越高,掺杂越难,体系稳定性越低,掺杂体系带隙越窄,吸收光谱红移越显著.采用LDA(局域密度近似)+U方法调整带隙.结果表明,掺杂体系的铁磁性居里温度能够达到室温以上,磁矩来源于p-d态杂化电子交换作用.Ni掺杂量越高,掺杂体系的磁矩越小.另外还发现Ni原子在ZnO中间隙掺杂时,掺杂体系在紫外光和可见光区的吸收光谱发生蓝移现象.
- 侯清玉贾晓芳许镇潮赵春旺
- 关键词：电子结构磁光性能第一性原理
- 高氧空位和非金属高掺杂氧化钛和氧化锌的物性研究
- 侯清玉赵春旺
- 该成果采用密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法，将金属、非金属和氧空位分别掺杂在TiO2或ZnO氧化物半导体中，对掺杂体系的物性进行了第一性原理研究，在半导体物理学、凝聚态物理、材料物理等学科的基础研究领域取得了一系列...
- 关键词：
- 关键词：氧化物半导体导电性能
- 单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响被引量：2
- 2017年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明:施加应变会使带隙变窄.对于拉应变,随着应变增大带隙减小程度增大;对于压应变,随应变增大带隙减小程度减弱;且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV^12 eV范围内施加应变时,氮化铟的吸收光谱发生红移,随拉应变程度增加,吸收光谱的红移进一步加大;随压应变增加,吸收光谱红移减弱;在该范围内,氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加,随压应变增加减小;施加拉应变时能量损失函数峰值增大,施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质.
- 温淑敏姚世伟赵春旺王细军侯清玉
- 关键词：氮化铟光学性质
