路莹
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：吉林师范大学信息技术学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- OLEDs磁效应的理论研究进展
- 2013年
- 文章讨论了OLEDs磁效应的研究进展,总结归纳了OLEDs磁效应的理论模型,分析了这些模型的理论意义.
- 姜文龙吕继峰高永慧由中奇孙继芳路莹侯雪怡王双贾萍
- 关键词：OLEDS磁效应
- 有机白光器件中CdS薄层增加电子注入的研究被引量：1
- 2013年
- 为了研究光电材料CdS在有机白光器件中增加电子注入的特性,将结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光器件,不插入CdS薄层或将CdS薄层分别插入到NPB和ITO之间以及Alq3和LiF之间或同时将CdS薄层插入到它们之间,制作了四个元器件。通过研究得出,在Alq3和LiF之间插入CdS薄层的器件,在同等条件下性能较好。性能的改善来自于CdS薄层的引入使器件电子注入增加,激子形成的数量和比率也获得了相应的提高,从而提高了器件的亮度和效率。
- 姜文龙由中奇孙继芳路莹张刚常喜汪津薛志超
- 关键词：电子注入激子
- 加CdS薄层的有机电致磷光白光器件性能的优化
- 2014年
- 采用CBP和MCP做主体,分别掺杂磷光铱配合物Ir(piq)2(acac)和FIrpic作为红光发光层和蓝光发光层,研究了红光发光层和蓝光发光层的位置对器件性能的影响,得出结构为ITO/2T/NPB/MCP∶Firpic/CBP/CBP∶Ir(piq)2(acac)/Bphen/CdS/LiF/Al的器件性能较好。当CdS的厚度为0.1nm,电流密度为161mA/cm2时,器件的最大效率比不加CdS的器件的最大效率提高了1.42倍。亮度也有较大提高。在电流密度为225mA/cm2(电压为17.5V)时,最大亮度为20 890cd/m2,比不加CdS的器件的最大亮度16 610cd/m2高出4 280cd/m2。
- 姜文龙孙继芳路莹田小翠刘姊君张刚常喜汪津丁桂英
- 关键词：电子注入
- 石墨烯薄层对有机电致发光器件性能的影响被引量：3
- 2014年
- 为研究探讨石墨烯薄层对有机电致发光器件(OLEDs)性能的影响,制备了一组OLEDs,其基本结构为ITO/NPB(50 nm)/Alq3(80 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.分别采取不插入石墨烯薄层、将石墨烯薄层插入到NPB和ITO之间、插入到Alq3和LiF之间以及在NPB中掺杂石墨烯薄层的方式,制作了4组器件.研究结果表明:在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳;当电压达到15 V时,器件电流效率达到最大值3.40 cd·A-1,与其他组器件最高效率相比增大1.46倍;同时,器件的亮度也达到最大值10 070 cd·m-2,比其他组器件最大亮度增大2.37倍.
- 高永慧路莹韩强张刚姜文龙
- 关键词：石墨烯有机电致发光器件掺杂亮度
- MgF_2缓冲层对蓝光OLED性能的影响被引量：2
- 2014年
- 为了提高蓝光有机电致发光器件(OLED)的发光性能,将MgF2缓冲层插入ITO阳极与空穴传输层NPB之间,通过优化MgF2的厚度,制备了结构为ITO/MgF2(x nm)/NPB(50nm)/DPVBi:DSA-ph(30nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.6nm)/Al(100nm)的高性能蓝光器件。实验结果表明,MgF2厚为1.0nm时,器件性能最佳,对应的器件最大电流效率达到5.51cd/A,最大亮度为23 290cd/m2(10.5V),与没有MgF2缓冲层的标准器件相比,分别提高47.3%和25.2%。对ITO表面的功函数测量结果表明,MgF2缓冲层可以有效修饰ITO表面,降低ITO与NPB之间的势垒高度差,改善空穴的注入效率,从而导致电子和空穴的注入更加平衡,激发机制更高效,实现了高性能的蓝光发射,为实现高效而稳定的全彩显示和白光照明奠定了基础。
- 刘春玲侯雪怡孙继芳路莹姜文龙
- 关键词：发光效率蓝光
- 加CdS薄层的白色有机电致发光器件色度的优化被引量：2
- 2014年
- 文章讨论了利用蓝色磷光小分子铱配合物[iridium(III)bis-(4',6'-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate(Fir6)]与黄色荧光染料Rubrene复合发光产生白光的设想.通过引入CdS薄层而增加电子注入,利用结构为ITO/2-TNATA/NPB/Rubrene/CBP/CBP:Fir6/CBP/Bphen/CdS/LiF/Al的器件,通过增加激子阻挡层CBP,获得了色度较好的白色有机电致发光器件.当两层激子阻挡层CBP厚度均为3 nm时,电压从启亮电压3.4 V开始至9 V为止,器件的色坐标从(0.36,0.36)变化到(0.32,0.31),使器件的色度获得了很好的改善.
- 姜文龙孙继芳路莹田小翠刘姊君常喜
- 关键词：电子注入色度
- CdS薄层增加电子注入及其对有机电致白光器件性能影响的研究
- 为了研究光电材料CdS在有机白光器件中增加电子注入的特性,将结构为：ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光器件,不插入CdS薄层或将CdS薄层分别插入到NPB和ITO之间以及Al...
- 姜文龙孙继芳路莹张刚常喜汪津薛志超
