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钟汇才

作品数：380 被引量：40H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 365篇专利
  • 15篇期刊文章

领域

  • 57篇电子电信
  • 13篇自动化与计算...
  • 3篇经济管理
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 239篇半导体
  • 153篇半导体器件
  • 79篇介质层
  • 63篇衬底
  • 62篇栅极
  • 53篇导体
  • 53篇侧墙
  • 52篇晶体管
  • 49篇沟道
  • 47篇刻蚀
  • 40篇半导体结构
  • 36篇堆叠
  • 30篇硅化物
  • 28篇电阻
  • 28篇金属硅化物
  • 27篇绝缘
  • 25篇自对准
  • 23篇导电
  • 23篇迁移率
  • 22篇电隔离

机构

  • 379篇中国科学院微...
  • 6篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇北京航空航天...
  • 2篇中北大学
  • 1篇天津中医药大...
  • 1篇中国循证医学...
  • 1篇国家电网有限...

作者

  • 380篇钟汇才
  • 212篇梁擎擎
  • 188篇朱慧珑
  • 106篇赵超
  • 78篇罗军
  • 32篇尹海洲
  • 24篇李俊峰
  • 23篇叶甜春
  • 23篇骆志炯
  • 21篇陈大鹏
  • 19篇殷华湘
  • 13篇赵劼
  • 12篇刘新宇
  • 12篇金智
  • 10篇王文武
  • 7篇崔虎山
  • 7篇杨达
  • 7篇邓坚
  • 6篇徐秋霞
  • 5篇田敏

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇电子设计工程
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子质量
  • 1篇小型微型计算...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇中国循证医学...
  • 1篇中国图象图形...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 20篇2019
  • 15篇2018
  • 20篇2017
  • 64篇2016
  • 43篇2015
  • 60篇2014
  • 58篇2013
  • 64篇2012
  • 24篇2011
共 380 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于HfO_2的MTM反熔丝编程特性研究被引量：1
2016年
基于金属-金属(metal-to-metal,MTM)反熔丝技术的可编程存储和逻辑器件已经得到广泛应用。制备了基于高介电常数材料HfO_2的铝/氧化铪/铝(Al/HfO_2/Al)结构的MTM反熔丝单元,并对该单元的编程特性、击穿电压、编程后电阻、编程前漏电流、经时击穿(TDDB)和使用寿命等特性进行了研究。测量结果显示,基于较薄高介电常数材料HfO_2介质的MTM反熔丝器件在获得较低击穿电压的同时,依然保持较小的编程前漏电流、非常高的开关电阻比以及良好的可靠性和寿命。
江洋田敏钟汇才
关键词：反熔丝击穿电压漏电流
沟槽隔离结构及其形成方法
一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；第一沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有外延层，所述外延层的表面高于所述半导体基底的表面；第二沟槽，形成于所述外延层上，其中填充有第一介质层，所述...
钟汇才尹海洲梁擎擎朱慧珑
文献传递
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一种示例方法可以包括：在半导体衬底上形成栅极和源/漏区；在所述源/漏区上外延生长牺牲源/漏；在半导体衬底上形成层间电介质层，并对其进行平坦化，以露出牺牲源/漏；以及去除至少一部分牺...
钟汇才梁擎擎赵超
文献传递
NAND结构及其形成方法
本发明提出一种与非门NAND结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅绝缘层；形成在所述衬底中的源区和漏区；形成在所述栅绝缘层之上的中间栅极，和位于所述中间栅极两侧的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述中间栅极...
梁擎擎钟汇才朱慧珑
晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
本发明涉及晶体管、包括该晶体管的半导体器件以及所述晶体管和所述半导体器件的制造方法。根据本发明的晶体管包括：衬底，至少包括顺序堆叠的基底层、第一半导体层、绝缘层和第二半导体层；形成在第二半导体层上的栅极叠层；分别位于栅极...
梁擎擎朱慧珑钟汇才
文献传递
晶片对准方法和装置
本发明公开了一种晶片对准的方法和装置。该晶片对准方法包括：在待对准晶片上形成对准标记；将对准标记耦合到位于待对准位置的激励源，该耦合引起该对准标记内部的电磁场发生变化；测量表示该对准标记内部的电磁场强度的一个或多个参数；...
赵超钟汇才
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成假栅极绝缘层和假栅极层构成的假栅极堆叠；在假栅极堆叠两侧的衬底上形成栅极侧墙，其中假栅极绝缘层和栅极侧墙的包含的材料选自氮化硅、非晶碳之一并且相互不同；去除假栅极层，...
崔虎山钟汇才赵超
文献传递
晶体管及其制造方法
本发明涉及晶体管以及所述晶体管的制造方法。根据本发明实施例的晶体管可以包括：衬底，所述衬底至少包括顺序堆叠的晶体管的背栅、绝缘层和半导体层，其中所述晶体管的背栅用于调节所述晶体管的阈值电压；形成在所述半导体层上的栅极叠层...
梁擎擎钟汇才朱慧珑
文献传递
半导体器件结构及其制作方法
本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形...
钟汇才罗军梁擎擎朱慧珑
文献传递
纳米线制造方法
本发明公开了一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异...
罗军赵超钟汇才李俊峰
文献传递
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