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陈俊芳: 作品数：124 被引量：499H指数：11; 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>; 发文基金：广东省自然科学基金国家自然科学基金全国教育科学“十五”规划教育部重点课题更多>>; 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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低温等离子辅助蒸发纳米铝膜微结构及光学特性研究: 2014年; 采用低温等离子体辅助气相沉积技术在低压常温条件下制备稳定的纳米铝膜。利用发射光谱和Langmuir双探针法分析射频感应耦合Ar等离子体成分及分布密度特性,结果显示在衬底附近等离子体密度衰减趋于平缓且均匀,浮动电位0.329V;随着功率的增加,Ar+对成膜起主要影响。再结合铝膜的原子力显微结构,研究了不同的等离子环境条件对成膜质量及其紫外可见光谱的光学性质影响。结果表明射频离子源的加入,薄膜微结构发生较明显变化;随功率增加,膜反射率出现峰值;微结构特性对其光学性能影响较大,随着表面粗糙度的增加,紫外及可见光的透射率先减小后增大。; 陈兴来陈俊芳刘振兴李烨马俊辉李东珂; 关键词：金属薄膜表面粗糙度发射光谱紫外可见

电子束蒸发沉积TiN薄膜的电学特性研究被引量：1: 2012年; 采用TCP(Transverse coupled plasma)等离子体辅助电子枪蒸镀技术,在玻璃衬底上制备了TiN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同工艺条件对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;用四探针法测量薄膜的电阻率变化。结果表明,所制备的TiN薄膜在(111)晶面有择优取向。与金属薄膜类似,TiN薄膜的平均表面粗糙度与电阻率之间存在近似线性关系,并且电阻率随残余应力增大而增大。; 赵益冉陈俊芳邵士运冯军勤高鹏; 关键词：电阻率残余应力表面粗糙度

朗缪尔双探针结合光谱法诊断等离子体参数: 利用朗缪尔双探针对电子束蒸发镀膜装置反应室的等离子体参数进行诊断。绘制等离子体的双探针伏安特性曲线,计算出电子温度和等离子体密度。结合光谱测量分析了气压、射频功率对其参数的影响。研究了等离子体的分布规律。结果表明:A.离...; 李烨陈俊芳陈兴来; 关键词：电子温度等离子体密度光谱测量; 文献传递

基于声卡的虚拟数字存储示波器及其在电学实验中的应用被引量：6: 2005年; 利用虚拟仪器开发工具软件LabVIEW及其数字声音记录节点,研制出基于声卡的虚拟双踪存储示波器,其功能和界面都与真实示波器相同.以RLC串联电路的幅频特性和相频特性实验为例,说明其应用于电学部分物理实验教学,得到与传统实验仪器一致的实验结果,完全可以代替真实示波器进行教学实验.; 吕红英吴先球刘朝辉部德才陈俊芳; 关键词：虚拟示波器声卡 LABVIEW 物理实验

感应耦合等离子体技术低温制备纳米晶相氮化硅粉体材料: <正>纳米晶体氮化硅粉体材料具有优良的应用前景,采用硅烷和氮气为反应气体在感应耦合等离子体CVD系统中合成了氮化硅纳米粉体材料。利用朗缪尔静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度分布。氮化硅纳米粉体材料的TEM、IR和XR...; 赵文锋陈俊芳孟然王燕薛永琪; 关键词：ICP 氮化硅纳米粉体; 文献传递

直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究被引量：2: 2004年; 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.; 樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆; 关键词：感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管化学气相沉积法等离子体参数

增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置及方法: 一种增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置，由磁控管微波发生源、波导管、磁场产生部件、耦合窗、共振腔、沉膜室、样品台、样品台加热部件、样品台偏压部件、真空装置、配气装置、工作气体给气管、反应气体给气管和目视窗共同连接构成。该...; 陈俊芳吴先球符斯列樊双莉马涛; 文献传递

一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统: 本发明是一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统。包括有氮气气源供给系统(1)、若干个有机金属气源进出管路系统(2)、分别与若干个有机金属气源进出管路系统(2)连接的若干个流量控制系统(3)、压力控制系统(4)，本发明由于采用...; 陈俊芳李炜孟然王辉郭超峰; 文献传递

气压对离子源增强磁控溅射制备氮化铝薄膜的影响被引量：1: 2016年; 目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si(100)基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度。研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响。结果在各气压下,薄膜生长以(100)面取向为主。在0.7 Pa前,(100)面的衍射峰强度逐渐增强,0.7 Pa之后减弱。(002)面衍射峰强度在0.6 Pa之前较大,0.6 Pa之后变小。各气压下薄膜表面均方根粗糙度均小于3 nm,且随着气压的增大先增大后减小,0.7 Pa时最大达到2.678 nm。各气压下所制备薄膜的透过率均大于60%,0.7 Pa时薄膜的禁带宽度为5.4 e V。结论较高气压有利于(100)晶面的生长,较低气压有利于(002)晶面的生长;(100)面衍射峰强度在0.7 Pa时达到最大;随气压的增大,薄膜表面粗糙度先增大后减小;所制备的薄膜为直接带隙半导体薄膜。; 李鹏飞陈俊芳符斯列; 关键词：气压磁控溅射氮化铝薄膜离子源粗糙度