您的位置: 专家智库 > 作者详情>隋晓红

隋晓红

作品数:5 被引量:14H指数:2
供职机构:西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇变换器
  • 2篇电流传输
  • 2篇电流传输器
  • 2篇电容
  • 2篇开关电容
  • 2篇开关电容DC...
  • 2篇DC-DC变...
  • 2篇DC-DC变...
  • 2篇传输器
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电路
  • 1篇异质结
  • 1篇英文
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇光电
  • 1篇二极管

机构

  • 5篇西安理工大学

作者

  • 5篇隋晓红
  • 4篇陈治明
  • 3篇赵敏玲
  • 3篇王立志
  • 1篇靳瑞英
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇余宁梅

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于有源电容倍增器的新型电荷泵DC-DC变换器被引量:5
2004年
电荷泵中浮置电容是影响输出特性的关键因素 ,针对大容量浮置电容难以集成的问题 ,提出利用电流传输器构成有源电容倍增器代替浮置电容的方法 ,可使等效的浮置电容容量提高 1~ 3个数量级 .利用PSPICE软件对反压及倍压电荷泵分别在采用有源电容倍增器和理想电容的情况下进行仿真 ,对比分析的结果说明采用有源电容倍增器的电荷泵电路仅需要很小的电容就能得到与外加大容量浮置电容电荷泵电路相同的输出特性 (实例中 10 0pF可等效 5 0nF) ,从而基于有源电容倍增器的电荷泵将更易于全单片集成 .
王立志陈治明赵敏玲隋晓红
关键词:电荷泵开关电容DC-DC变换器电流传输器
适合集成开关电容DC-DC变换器的浮地电容倍增器被引量:2
2004年
 针对在集成电路中制作大容量电容器的困难,提出了一种利用电流传输器提高集成电容器容量的方法,称之为连续可变浮地电容倍增器。分析了电容倍增的机理,建立了相应的关系式,在此基础上对用此浮地电容构成的一阶滤波器和开关电容DC-DC变换器进行了理论分析和PSPICE仿真。结果表明,利用电流传输器的阻抗变换作用,可使小容量的电容等效变换为较大容量的浮地电容,从而便于开关电容DC-DC变换器实现全单片集成。
王立志陈治明赵敏玲隋晓红
关键词:DC-DC变换器电流传输器集成电路
SiC_(1-x)Ge_x/SiC异质结光电二极管特性的研究(英文)被引量:8
2005年
使用二维器件模拟软件Medici,对SiC_(1-x) Ge_x/SiC异质结的光电特性进行了模拟.设计了N型重掺杂SiC层的厚度为 1μm,P型轻掺杂SiC_(1-x) Ge_x/SiC层厚为 0. 4μm,二者之间形成突变异质结.在反向偏压 3V、光强度为 0. 23W /cm2的条件下,p-n+SiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p-n+SiC0. 7Ge0. 3 /SiC敏感波长λ分别可以达到0. 64μm和 0. 7μm,光电流分别为 7. 765×10-7 A/μm和 7. 438×10-7 A/μm;为了进一步提高SiC1-xGex/SiC异质结的光电流,我们把p-n+两层结构改进为p i n三层结构.在同样的偏压、光照条件下,p i nSiC0. 8Ge0. 2 /SiC和p i nSiC0. 7Ge0. 3 /SiC的光电流分别达到 1. 6734×10-6 A/μm和 1. 844×10-6 A/μm.
靳瑞英陈治明蒲红斌隋晓红
关键词:异质结
Improving Characteristics of Integrated Switched-Capacitor DC-DC Converter by CMOS Technology
2003年
An integrated 3.3V/1.2V SC DC-DC converter operating under 10MHz with a fixed duty radio of 0.5 is presented.To improve the output current of the converter,CMOS technology is adopted to fabricate the switching devices,and mutually compensatory circuitry technology is also employed to double the output current furthermore.The simulation results using Hspice simulation software,show that the output currents of a single unit circuit and two unit circuits connected in a mutually compensatory manner of the improved converter is about 12.5mA and 26mA,respectively.The power conversion efficiency of the mutually compensatory circuit can amount to 73%,while its output voltage ripple is less than 1.5%.The converter is fabricated in standard Rohm 0.35μm CMOS technology in Tokyo University of Japan.The test result indicates that the output current of 9.8mA can be obtained from a single unit circuit of the improved converter.
隋晓红陈治明赵敏玲余宁梅王立志
改善单片集成3.3V//1.2V开关电容DC-DC变换器的输出特性
本文着眼于单片集成3.3V/1.2V开关电容/(SC/)DC-DC变换器输出特性的改善,利用计算机仿真手段,对变换电路的拓扑结构、电路元件、制造工艺、以及集成电容的介质材料等进行全面的优化分析,探索特性改善的有效途径。采...
隋晓红
关键词:CMOS工艺开关电容稳压电路
文献传递
共1页<1>
聚类工具0