黄景昭
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 表面光电压法测定Al_xGa_(1-x)As的组分和少子扩散长度
- 1990年
- 本文通过测量n-Al_xGa_(1-x)As/n-GaAs材料的表面光电压并推导了有关的计算公式,判定其光跃迁类型,从而计算出它们的禁带宽度,确定了Al的组分x;计算出它们的少子扩散长度.测量和计算的结果与SEM方法的测量结果基本一致.
- 黄景昭沈qi华
- 关键词：ALGAAS
- 混晶GaAs_(1-x)P_x禁带中央附近能级的研究
- 1990年
- 用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样品中均存在一个呈空穴陷阱的深中心,其光阀值能量分别为 0.95 eV和 0.97 eV,光电容瞬态谱具有非单指数性;且在同一波长的光激发下,非单指数性随激发光强度的增大而增强。对这一深能级中心的结构及其激发过程进行了分析和讨论,提出一种多能级耦合的缺陷中心模型并用二步激发过程解释了实验结果。
- 黄景昭周必忠陈世帛林东海
- 混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性
- 1991年
- 一、引言 近年来,Ⅲ—Ⅴ族化合物混晶半导体中施主杂质(如Al_xGa_(1-x)As中Ge、Si、Sn和GaAs_(1-x)P_x中S、Se、Te等)形成的深中心(DX中心)的某些奇特行为引起人们广泛关注。虽然这些材料的基质和杂质的类型不同,但深中心的特性相似,例如它们在禁带中引入一个浅能级和一个或几个深能级,深能级的浓度很大(可接近掺杂施主浓度);
- 周必忠林东海黄景昭陈世帛
- 关键词：电声耦合
- GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫
- 1990年
- 用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。
- 林东海周必忠黄景昭陈世帛
- 关键词：TE深中心电声耦合
- 用双光源光电容法研究GaAs[*v1-x*]Fx中深能级缺陷
- 周必忠黄景昭陈世帛
- 关键词：晶体缺陷能级砷化合物镓化合物磷化合物
- 用正电子湮没寿命谱研究GaP晶体中的缺陷
- 周必忠方江陵黄景昭
- 关键词：晶体缺陷发光器件晶体结构磷化镓正电子湮没
