黄森
- 作品数：91 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金香港特区政府研究资助局资助项目香港创新及科技基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学一般工业技术理学更多>>
- 基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构
- 本发明公开了一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构，包括：薄势垒异质结，自下而上包括：GaN缓冲层和薄势垒层，在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气；电荷诱导层，形成于薄势垒层上方，包含若干间隔...
- 王鑫华王泽卫黄森魏珂刘新宇
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- 氮化镓功率器件动态特性测试方法
- 本发明提供一种氮化镓功率器件动态特性测试方法，方法包括：氮化镓器件在直流应力模式、连续硬开关应力模式和关断恢复模式中的一个模式的工作过程中或者两个以上模式的联动工作过程中，对氮化镓器件的电流和电压进行采集；其中，直流应力...
- 蒋其梦黄怡菲黄森王鑫华刘新宇
- 一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法
- 本发明提供一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件制作方法，其中包括：步骤一、提供衬底以及衬底上的外延层；步骤二、提供外延层表面进行图形化并刻蚀凹槽；步骤三、在凹槽之间的外延层表面淀积第一阳极金属；步骤四、在凹槽中和第一层阳极...
- 康玄武刘新宇郑英奎黄森王鑫华魏珂
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- 一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
- 本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
- 王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
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- 一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
- 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金...
- 魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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- 一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法
- 本发明公开了一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法，该方法是采用Cl基等离子体对形成背孔图形的衬底背面进行表面钝化处理，使得金属Ni掩膜与Cl基等离子体接触的表面形成NiCl<Sub>3</Sub>。本发明通过对Ni...
- 魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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- 带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件
- 2023年
- 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_(GS)=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_(GS)=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^(-6)A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的fT和165 GHz的f_(MAX)。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_(DS)=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_(DS)增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。
- 陈晓娟陈晓娟张昇李艳奎李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成
- 关键词：KA波段
- GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型
- 一种GaN MIS‑HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型，通过测试不同温度下同一批次中若干个自主GaN MIS‑HEMT器件的直流和交流特性曲线，在所获取的直流特性曲线中提取阈值电压与源漏电压之间的关系，并找到...
- 刘春雨王鑫华黄森魏珂刘新宇
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- 增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法
- 本发明提供一种增强型GaN基功率晶体管器件及其制作方法。所述方法包括：在衬底上生长第一轻掺杂N型GaN外延层；在第一轻掺杂N型GaN外延层上生长P型GaN外延层；对P型GaN外延层和第一轻掺杂N型GaN外延层刻蚀，形成贯...
- 黄森刘新宇康玄武王鑫华魏珂
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- III族氮化物低损伤刻蚀方法
- 本发明提供了一种III族氮化物结构低损伤刻蚀方法，包括：在III族氮化物结构上形成刻蚀掩膜，所述III族氮化物结构形成于衬底上；以及利用刻蚀掩膜对III族氮化物结构进行刻蚀，其特征在于：在刻蚀过程中，衬底温度动态改变或者...
- 刘新宇黄森王鑫华魏珂
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