丁武昌
- 作品数：28 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程领域前沿项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 梯度掺杂对n型异质结太阳能电池性能的影响被引量：2
- 2013年
- 通过仿真软件AFORS-HET对a-Si∶H(p)/i-a-Si∶H/c-Si(n)异质结太阳能电池的光伏特性进行分析及优化,主要对比了a-Si∶H(p)层的均匀掺杂和表面掺杂浓度D1=1×1020cm-3>界面掺杂浓度D2=4×1019cm-3的梯度掺杂情况时的光伏特性,实现了在梯度掺杂时22.32%的光电转换效率。与均匀梯度掺杂相比,发射层的梯度掺杂除了引入一个附加电场,还优化了能带结构、光谱响应、表面复合速率。结果表明,梯度掺杂可以有效地改善电池的光电转换性能。
- 崔冬萌贾锐丁武昌张烨A.W.Weeber宋世庚
- 关键词：梯度掺杂光伏特性
- 红外吸收半导体材料Ru2Si3 的理论模拟和光学性质研究
- 文根据纳米柱减反阵列电池市场的兴盛及其对光的全波段吸收性能的需求,利用Ru2Si3 材料的特殊性质,构建具有光谱上转换功能的减反材料,旨在提高纳米柱电池其红外光波段的响应.得到Ru2Si3 的直接带隙宽度为0.51eV,...
- 崔冬萌贾锐丁武昌乔秀梅
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究
- 根据多晶硅电池对于表面抗反射薄膜设计的需要，基于薄膜反射特征导纳矩阵理论，结合电池的背底反射，建立了较完善的表面反射和电池吸收计算模型。通过分析计算，设计了硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜，在AM1.5光...
- 丁武昌贾锐陈晨孟彦龙崔冬萌李昊峰金智刘新宇叶甜春
- 关键词：多晶硅电池反射率硅量子点
- 银硅纳米颗粒用于制备晶体硅太阳电池超高效陷光的研究
- 2013年
- 研究了制备硅纳米结构的方法,与之前的方法相比,本研究中的AgSi纳米颗粒能控制形成硅纳米结构的直径和深度,同时不需要光刻、反应离子刻蚀等高成本的复杂工艺。实验结果表明,将制备的硅纳米结构作为晶硅电池的绒面,在300～1000nm的波长范围内获得了低达5%的反射率;电池的表面复合与电极接触需要改进。
- 窦丙飞贾锐李昊峰陈晨孟彦龙丁武昌金智刘新宇叶甜春
- 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文选登 多晶硅电池叠层抗反射层的设计研究
- 2013年
- 根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果。利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38%;分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si∶N=1∶1时即可达到较好的表面抗反射效果。
- 丁武昌贾锐崔冬萌陈晨孟彦龙乔秀梅金智刘新宇
- 关键词：抗反射硅量子点太阳电池
- 硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件
- 本申请提供一种硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件，通过在硅半导体衬底上形成二氧化硅SiO<Sub>2</Sub>介质层；在所述SiO<Sub>2</Sub>介质层上形成砷化铝镓AlGaAs保护层，再在所述AlGaA...
- 常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智
- 文献传递
- 异质结背结触(HJ-BC)电池的关键参数优化研究
- 全异质结背接触太阳电池结合了异质结电池高开路电压与背接触电池高短路电流的优势,有望在晶体硅电池领域实现新的突破.本文设计了背结异质结电池,研究了表面复合、电极接触等对电池性能的影响.模拟计算表明,背表面复合速率决定了背结...
- 丁武昌贾锐崔冬萌乔秀梅王仕建金智刘新宇
- 关键词：物理性能计算机模拟结构优化
- 文献传递
- Al_2O_3对晶硅电池的表面钝化研究
- 2014年
- 采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化。通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5%。在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高17.4%。通过对不同钝化技术下晶硅电池少子寿命变化以及发射区方阻变化的分析,采用原子层沉积工艺制备的Al2O3不仅能对晶硅电池表面实现良好钝化,还可避免高温氧化工艺对电池发射区的影响。
- 孟彦龙贾锐孙昀王仕建邢钊丁武昌李昊峰陈晨孙兵李尚卿
- 关键词：太阳电池AL2O3表面钝化
- 一种异构集成射频放大器结构
- 本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半...
- 常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智
- 文献传递
- W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2
- 2019年
- 成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.
- 王溪姚鸿飞姚鸿飞苏永波丁武昌丁芃丁芃金智
- 关键词：压控振荡器宽调谐范围高输出功率
