丛秀云
- 作品数：39 被引量：34H指数：5
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院西部之光基金国家自然科学基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术核科学技术更多>>
- 高补偿硅的阻-温特性被引量：6
- 2004年
- 采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。
- 张建巴维真陈朝阳丛秀云陶明德M.K.巴哈迪尔哈诺夫
- 关键词：光敏深能级
- 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
- 2006年
- 采用4.5Ω.cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅。用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极。用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线。结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触。
- 崔志明陈朝阳巴维真蔡志军丛秀云
- 关键词：电子技术化学沉积法
- 掺锰硅材料的电流振荡特性被引量：1
- 2006年
- 用高温扩散方法制备出补偿Si：（B，Mn）材料，并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系．结果表明：在一定光照和电场范围内（276-305V／cm），电阻率为10^4Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性；在一定的电场下，电流振荡波形是固定的，不随时间变化；振荡频率随光照强度的增大而线性增大；调制系数随着光强的增强而减弱；振荡的最大值随着光照强度增大而减小，最小值随着光强增大而缓慢增大．
- 陈朝阳巴维真张建丛秀云Bakhadyrkhanov M KZikrillaev N F
- 关键词：硅掺杂电流振荡
- 具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)
- 本发明涉及一种具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件)，该元件是用单面抛光的N型Si片制作，Si片电阻率在40到200Ωcm之间，其流程包括：氧化、光刻、硼预淀积、硼再分布和氧化、光刻、磷预淀积、磷再分布和氧化...
- 宋世庚陶明德吴关炎丛秀云
- 文献传递
- 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
- 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数...
- 陈朝阳范艳伟丛秀云
- 文献传递
- 光致荧光辐射剂量探测技术
- 本发明涉及一种光致荧光辐射剂量探测技术，该技术利用掺杂两种稀土元素的碱土金属硫化物的光致荧光特性，通过光致荧光剂量片存储辐射剂量，用光电系统内的光源激发，并用灵敏的弱光探测装置读出荧光片中存储的辐射剂量，获得一种新型的辐...
- 巴维真陈朝阳刘秋江朱磊丛秀云汤新强郑应之
- 文献传递
- Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性被引量：1
- 2009年
- 为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，为欠补偿，测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm，温度敏感系数（B值）在5300K左右；根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值，与实验值基本一致。
- 董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云王军华陶明德
- 关键词：深能级杂质AUNI
- 微波加热法合成CaS∶Ce,Sm及其发光特性被引量：4
- 2006年
- 用微波加热法合成CaS∶Ce,Sm材料,由光谱可知,其光激励光谱和发射光谱分别位于红外和可见光区域,因而只要选择适当的光探测方法即可记录发射光。与高温固相法比较,微波加热法合成能够减少S的升华,提高反应速率,同时能够有效回避保护气氛并最大限度地去除对环境的污染;在生成CaS的同时完成稀土金属的掺杂,从而比较容易的得到了纯度较高的CaS∶Ce,Sm。
- 朱磊巴维真陈朝阳刘秋江丛秀云
- 关键词：微波加热反应速率
- 掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响被引量：9
- 2004年
- 采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.
- 张建巴维真陈朝阳崔志明蔡志军丛秀云陶明德吐尔迪.吾买尔
- 关键词：正温度系数负温度系数导电类型硅材料单晶硅
- 过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
- 本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数...
- 陈朝阳范艳伟丛秀云
- 文献传递
