余小江
- 作品数：19 被引量：30H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种Ⅲ<Sub>A</Sub>－Ⅴ<Sub>A</Sub>族化合物半导体表面硫钝化方法
- 本发明Ⅲ<Sub>A</Sub>－Ⅴ<Sub>A</Sub>族化合物半导体表面硫钝化方法,特征是将半导体表面浸入浓度为0.03至3.3M的硫代酰胺水溶液中,在室温至100℃温度范围内,放置0.5至120分钟;本方法所采用...
- 陆尔东徐法强张新夷徐彭寿余小江
- 文献传递
- 一种Ⅲ<Sub>A</Sub>-V<Sub>A</Sub>族化合物半导体表面硫钝化方法
- 本发明III<Sub>A</Sub>-V<Sub>A</Sub>族化合物半导体表面硫钝化方法，特征是将半导体表面浸入浓度为0.03至3.3M的硫代酰胺水溶液中，在室温至100℃温度范围内，放置0.5至120分钟；本方法所...
- 陆尔东徐法强张新夷徐彭寿余小江
- 文献传递
- 纳米银固体中的微孔道
- 2001年
- 综合分析了高致密度（密度为常规多晶银的９５％）纳米银固体的同步辐射光电子能谱、Ｘ射线光电子能谱和真空加热实验的结果后，发现在高致密度纳米银团体内，除了空隙外，还应当有一定数量的微孔道存在。其中一些微孔道开口于纳米银固体的表面，外界气体可以通过这些微孔道进入纳米银团体内部。
- 徐长山潘海斌陆尔东徐世红余小江徐彭寿张新夷秦晓英张立德
- 关键词：光电子能谱X射线
- 4～120nm波段的单色仪光束线设计被引量：4
- 1999年
- 合肥国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）在表面物理光束线中应用了新的简单平面光栅单色仪作为分光仪器。它采用平面光栅和球面镜组成光学成像系统，波长选择由光栅绕其中心轴转动和球面镜绕一镜面外的轴转动完成。单色仪在４～１２０ｎｍ光谱范围内具有高的光学传输效率、高的光谱分辨率。
- 吕丽军王秋平余小江
- 关键词：单色仪光学设计分光仪
- 氧与bcc相Co(100)表面相互作用的光电发射研究(英文)
- 1999年
- 通过在GaAs（100）表面生长具有弱有序的bcc相Co超薄膜，利用同步辐射光电发射和XPS，研究了室温下不同氧暴露量时Co膜的氧吸附行为。价带谱和Co3p发射谱结果表明，当暴露氧量低于4L时，氧解离吸附;更高的氧暴露量导致表面CoO相的成核与生成。退火温度超过470K后，氧以原子形式向Co基体中扩散。O1sXPS谱分解显示，存在着对应于不同氧吸附位的两种氧物种。
- 张发培徐鹏寿徐法强陆尔东余小江张新夷
- 关键词：氧光电发射XPS超薄膜
- 可变包含角单色器的双轴平行度误差分析和测试被引量：1
- 2003年
- 估算了可变包含角单色器的两个旋转轴之间的不平行度对波长的调整精度和分辨率的影响,以及采用平行光管测量两个旋转轴的不平行度大小和调整的方法。
- 余小江王秋平陈锵徐彭寿
- 关键词：误差分析平行光管平行度测量
- NSRL光电子能谱站控制系统改造及软件设计被引量：2
- 2002年
- 了适应同步辐射应用技术发展的需要 ,我们对合肥国家同步辐射实验室 (NSRL)光电子能谱站的数据采集和控制系统的硬件和软件进行了改造 ,取得了预期的效果。硬件系统方面 ,增加了一组多功能卡 ,更换了马达控制器 ,增加了光子能量反馈系统 ;与之相应的软件得以重写 ,同时 ,对软件自身也进行了完善 ,增加了参数存取功能 ,修改了数据存储格式 ,并加入XPS工作模式。通过测量一组Ni的费米边的EDC(EnergyDistributionCurve)
- 邓锐余小江潘海斌徐法强许保宗徐彭寿
- 关键词：NSRL控制系统光束线软件设计光电子能谱
- 变间距光栅刻线密度测试系统的性能评价被引量：9
- 2004年
- 在国家同步辐射实验室二期工程光束线的建设中,建立了一套变间距光栅刻线密度的测试系统。该系统采用衍射测量法测量光栅间距的变化,可以对光栅长度为100 mm的平面和凹面光栅的刻线密度进行测量。样品测量结果表明,该系统的测量精度△N/N<2×10^(-4),满足光束线工程的要求,可以作为NSRL进口的变间距光栅的验收工具。
- 陈锵胡中文余小江高家法王秋平王琪民
- 关键词：测量系统
- 国家同步辐射实验室同步辐射光电子能谱站的新进展
- 1996年
- 简要地阐述了同步辐射的优越性，介绍了国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光电子能谐站与光束线的设备．综述了国内主要用户及站上工作人员在金属／半导体界面等方面所开展的工作和一些实验结果．
- 徐世红徐彭寿陆尔东潘海斌余小江张发培
- 关键词：电子能谱金属半导体
- CH_3CSNH_2／NH_4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征被引量：1
- 1996年
- 一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层。
- 陆尔东徐彭寿余小江徐世红潘海斌张新夷赵天鹏
- 关键词：XPS表面钝化砷化镓
