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刘文军

作品数：31 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇标准

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇电路
  • 7篇晶体管
  • 6篇集成电路
  • 5篇电容
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇电阻率
  • 4篇掉电
  • 4篇选通
  • 4篇互连
  • 4篇横线
  • 4篇半导体
  • 3篇导体
  • 3篇等离子体
  • 3篇电极
  • 3篇氧化铪
  • 3篇栅绝缘层
  • 3篇驱动电路
  • 3篇阻挡层
  • 3篇阈值电压

机构

  • 31篇复旦大学
  • 1篇北京化工大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门大学
  • 1篇安琪酵母股份...
  • 1篇生物技术有限...
  • 1篇深圳华因康基...

作者

  • 31篇刘文军
  • 21篇丁士进
  • 21篇张卫
  • 6篇周鹏
  • 6篇薛晓勇
  • 5篇朱宝
  • 4篇王永平
  • 3篇卢红亮
  • 1篇丁子君
  • 1篇姚鹃
  • 1篇马倩
  • 1篇陈秀兰
  • 1篇陈劲春

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 11篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2009
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法
本发明公开了一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法，该全固态超级电容由两个相对设置的芯片‑电极集成结构粘合构成，其中，芯片‑电极集成结构包含衬底、设置在衬底第一表面的芯片、由下到上依次设置在衬底第二表面上的硅...
丁士进朱宝刘文军张卫
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一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法
本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Su...
丁士进王永平刘文军张卫
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忆阻器交叉阵列分压等效扩展阻态数目的结构及相关方法
本发明公开了一种忆阻器交叉阵列分压等效扩展阻态数目的结构及相关方法，其中交叉阵列包括横线、纵线、忆阻器，分压控制装置的每个分压控制单元包括正常电压信号输入端、分压电压信号输入端、选通器、正常电压信号输出端、分压电压信号输...
刘文军薛晓勇张朕银姜婧雯周鹏
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基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路。本发明电路由一传统基于阻变类型存储器交叉阵列的加权求和电路和一个电流采样电路构成；其工作分为两个阶段，第一阶段是预充电，第二阶段是加权求和和电...
薛晓勇刘文军周鹏
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一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法
本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在Si/SiO<Sub>2</Sub>衬底上采用磁控溅射沉积形成底电极，然后，采用原子层沉积技术生长ZrO<Sub>2</Sub>籽晶层，在籽晶...
卢红亮刘胤池刘文军
一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法
本发明公开了一种多级单元薄膜晶体管存储器及其制备方法，所述存储器的结构从下至上依次设置有：栅电极、电荷阻挡层、电荷俘获层、电荷隧穿层、有源区以及源、漏电极；其中，所述电荷隧穿层将所述电荷俘获层完全包围，以使所述电荷俘获层...
丁士进钱仕兵刘文军张卫
一种基于富氢氧化硅固态电解质的超级电容及其制备方法
本发明属于能量存储器件技术领域，具体为一种基于富氢氧化硅固态电解质的超级电容及其制备方法。本发明超级电容包含衬底、设置在衬底表面上的下金属电极、富氢氧化硅电解质以及上金属电极。本发明提供的超级电容与传统的硅基集成电路工艺...
丁士进朱宝刘文军张卫
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基于忆阻器的存储器内计算架构
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器的存储器内计算架构。本发明的基于忆阻器的存储器内计算架构包括忆阻器阵列和辅助电路；忆阻器阵列是一个交叉阵列，由若干水平方向的互连线和若干竖直方向的互连线互相交叉构成，每个交...
薛晓勇刘文军周鹏
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一种黑磷场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种黑磷场效应晶体管及其制备方法，该黑磷场效应晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、黑磷有源层以及源‑漏电极。其中，栅介质层由热氧化的氧化硅介质层与原子层沉积的氮化铝介质层叠层构成，氮化铝位于氧化硅...
丁士进郑和梅刘文军张卫
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一种掺杂改性的镍金属薄膜及其制备方法
本发明公开了一种掺杂改性的镍金属薄膜及其制备方法，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入NiCp<Sub>2</Sub>蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧...
丁士进王永平刘文军张卫
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