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刘明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电子束曝光
  • 2篇掩模
  • 2篇氧化硅
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇干法刻蚀

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇任芸芸
  • 2篇李志刚
  • 2篇王占国
  • 2篇刘明
  • 2篇周惠英

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
一种以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法，其特征在于，该方法包括以下制备步骤：步骤一：选择一衬底，在该衬底上面蒸镀二氧化硅层；步骤二：在二氧化硅层的上面涂一层光刻胶，在光刻胶上电子束曝光刻出所需图形结构；步骤三：对样品进...
任芸芸徐波周惠英刘明李志刚王占国
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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
一种以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法，其特征在于，该方法包括以下制备步骤：步骤一：选择一衬底，在该衬底上面蒸镀二氧化硅层；步骤二：在二氧化硅层的上面涂一层光刻胶，在光刻胶上电子束曝光刻出所需图形结构；步骤三：对样品进...
任芸芸徐波周惠英刘明李志刚王占国
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