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刘晓勇

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 14篇自对准
  • 14篇功率器件
  • 11篇电学性能
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇源极
  • 8篇射频功率
  • 8篇射频功率器件
  • 8篇迁移率
  • 8篇半导体
  • 6篇氮化镓
  • 6篇浮栅
  • 6篇侧墙
  • 5篇电阻
  • 5篇二极管
  • 4篇离子注入
  • 4篇离子注入工艺
  • 4篇寄生电阻
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇半导体功率器...
  • 3篇栅控

机构

  • 25篇复旦大学

作者

  • 25篇张卫
  • 25篇王鹏飞
  • 25篇刘晓勇
  • 6篇周鹏
  • 5篇孙清清
  • 2篇林曦
  • 2篇王玮

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器及其制造方法
本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探...
王鹏飞林曦王玮刘晓勇张卫
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一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法
本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻射频功率器件及其制备方法。本发明的低寄生电阻射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之...
张卫刘晓勇王鹏飞
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氮化镓射频功率器件及其制备方法
本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种氮化镓射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备氮化镓射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移。同时，由于栅极被钝化层保护，使得源...
王鹏飞刘晓勇孙清清周鹏张卫
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一种栅控二极管半导体器件的制造方法
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型Zn...
王鹏飞刘晓勇孙清清张卫
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一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法
本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种实现源漏栅非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极、漏极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成...
王鹏飞刘晓勇张卫
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一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法
本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实...
王鹏飞刘晓勇孙清清张卫
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一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法
本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种采用先栅工艺的高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保...
周鹏刘晓勇王鹏飞张卫
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一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法
本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子...
刘晓勇王鹏飞周鹏张卫
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一种半浮栅功率器件
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种半浮栅功率器件。该半浮栅功率器件包括一个氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管；一个二极管，该二极管的阳极与所述氮化镓高电子迁移率晶体管或碳化硅场效应晶体管的栅极连接，该...
王鹏飞刘晓勇黄泓帆张卫
一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器及其制造方法
本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探...
王鹏飞林曦王玮刘晓勇张卫
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