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刘浩瀚

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇烧结温度
  • 1篇居里
  • 1篇居里温度
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射功率
  • 1篇PTC材料
  • 1篇PTC效应
  • 1篇ALN
  • 1篇BATIO
  • 1篇CUO
  • 1篇表面形貌
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇电子科技大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 2篇刘浩瀚
  • 1篇杨成韬
  • 1篇宋远强
  • 1篇孟祥钦
  • 1篇付伍君
  • 1篇曲远方
  • 1篇梁巍
  • 1篇霍伟荣
  • 1篇张遥
  • 1篇朱博

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
CuO对BaTiO_3基PTC材料性能的影响被引量:3
2013年
通过阻温测试、介温测试及XRD等测试分析手段,研究了CuO的加入对BaTiO3基PTC材料性能的影响,结果表明:加入0.1mol%的CuO可以明显改善材料的PTC效应,升阻比提高到106;CuO的加入可明显降低烧结温度,当CuO的加入量为4mol%时,烧结温度降低65℃,最低烧结温度为1210℃;加入2.0mol%的CuO,材料的居里温度提高了近40℃,同时CuO的加入能提高材料的介电常数,并有压峰作用,对高介电常数材料的研究有一定的意义。
霍伟荣刘浩瀚梁巍宋远强曲远方
关键词:CUOPTC效应居里温度烧结温度
溅射功率对AlN/ZnO薄膜结构形貌的影响
2013年
采用直流反应磁控溅射法以ZnO为缓冲层在Si衬底上制备了AlN/ZnO薄膜。利用台阶仪、X线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)对不同溅射功率下制备的AlN/ZnO薄膜的厚度、结构及表面形貌进行测试表征。结果表明,不同溅射功率下生长的AlN薄膜都沿(002)择优生长,且随着功率的增大,薄膜的沉积速率增加,晶粒长大,AlN薄膜的(002)取向性变好。同时还利用扫描电子显微镜(SEM)对在优化工艺下制得AlN/ZnO薄膜断面的形貌进行表征,结果显示AlN薄膜呈柱状生长。
付伍君孟祥钦朱博张遥刘浩瀚杨成韬
关键词:ALNZNO薄膜溅射功率表面形貌
共1页<1>
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