刘祖黎
- 作品数：135 被引量：668H指数：15
- 供职机构：华中科技大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 不同复合基底旋波介质的吸波特性研究被引量：11
- 2000年
- 首次制备了不同复合基底的旋波介质 ,利用网络分析仪对样品进行了测量。实验表明 ,适当改变基底电导率或适量掺杂铁电、铁磁性物质可有效降低旋波介质的反射率 ,可有效调节复合手性材料的吸波性能 ,为研制高效、宽频、轻质的吸波材料提供了切实可行的思路。文中对测量结果进行了定性的分析 ,并与以非复合材料为基底的旋波介质进行了比较。
- 李玉莹徐晓文高本庆刘祖黎廖海星姚凯伦
- 关键词：反射率电磁耦合电磁材料
- 磁场对放电阴极区中电子能量及角分布的影响
- 1995年
- 采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子能量及角分布的影响。磁场垂直于阴极鞘层中电场的方向。电子与中性粒子的碰撞过程由自散射技术处理。计算了电子与中性粒子的非弹性碰撞次数，着重研究了电子的能量和散射角分布；结果表明，横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程。磁场中电子与中性粒子的非弹性碰撞增强。这一结果与实验结果基本一致。
- 魏合林刘祖黎
- 关键词：辉光放电阴极鞘层磁场电子能量角分布
- Ce掺杂对SnO_2薄膜电学及气敏性能的影响被引量：11
- 1997年
- 以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ、（ＮＨ４）３Ｃｅ（ＮＯ３）６为原料，无水乙醇为溶剂，采用溶胶凝胶工艺制备了纯ＳｎＯ２及ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜。研究了ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜的热分解晶化过程和Ｃｅ掺杂对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响，发现ＳｎＯ２∶Ｃｅ薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能。
- 方国家刘祖黎张增常王昕玮姚凯伦
- 关键词：铈掺杂气敏性电性能
- 磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响
- 等离子增强化学气相沉积是制备优质薄膜的一种非常重要的方法，等离子体中输运参数与薄膜生长及其特性关系密切。我们综合利用自行设计和研制的管式射频等离子体诊断设备对等离子体中离子能量分布进行了成功的测量。
- 刘洪祥刘艳红王均震刘祖黎魏合林
- 关键词：磁镜场射频等离子体
- 一种制备纳米Fe<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>颗粒的方法
- 本发明公开了一种制备纳米四氧化三铁颗粒的方法，其步骤为：(1)在N<Sub>2</Sub>保护环境、30℃-50℃下将0.5-1.5mol/l氨水逐步滴加到摩尔比为4∶3-2∶1的FeCl<Sub>3</Sub>和FeC...
- 刘祖黎姚凯伦刘永基陶晋丁宗华王欣龚非力
- 文献传递
- 磁镜场对均匀电场中电子输运特性的影响
- Monte Carlo方法研究了磁镜场对均匀电场中电子输运特性的影响。模型中，电子与中性粒子的碰撞过程有四种（弹性碰撞、激发碰撞、亚稳态碰撞和电离碰撞）。电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率决定。计算了汪同磁镜场...
- 刘艳红刘祖黎刘洪祥王均震姚凯伦
- 关键词：磁镜场电场电子输运
- 横向磁场对阴极区电子输运参量的影响被引量：3
- 1999年
- 运用改进的蒙特卡罗模拟方法， 研究了横向磁场对氦气直流辉光放电阴极区电子输运过程的影响．考虑了四种碰撞．模拟结果表明，横向磁场通过改变电子与中性粒子的碰撞速率，对电子参数产生了重要影响．
- 刘春邹积岩刘祖黎
- 关键词：辉光放电电子输运等离子体横向磁场
- SnO_2导电薄膜的制备及电学性能研究
- 1995年
- 利用等离子体化学气相沉积制备了SnO_2导电薄膜,分析了膜的电学性能与沉积参数的关系,同时测得SnO_2膜具有负温阻特性,这是一种N型半导体膜。
- 朱大奇刘祖黎陈俊芳
- 关键词：导电薄膜电学性质二氧化锡半导体
- 准分子激光原位淀积YBa_2Cu_3O_（7－x）超导薄膜
- 1995年
- 利用ＺｅＣｌ准分子激光在（１００）Ｓｉ基片上原位淀积出ＺｒＯ＿２缓冲层和ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－ｘ）高Ｔ＿ｃ超导薄膜，薄膜的零电阻温度为８２Ｋ．Ｘ射线衍射结果表明该超导薄膜具有很强的ｃ轴取向的正交结构。
- 焦树良刘大明刘祖黎李再光
- 关键词：超导薄膜激光蒸发
- SnO_2气敏薄膜沉积速率的数值模拟
- 1995年
- 本文依据等离子体化学气相沉积法(PCVD)制备SnO_2导电薄膜的过程,提出一种数学模型。通过数值计算,讨论了沉积的关键参量—活性粒子沉积速率与过程参数(气压、温度等)。的相互关系,对结果作了初步分析并与实验进行了比较。
- 朱大奇王红刘祖黎
- 关键词：气相沉积气敏薄膜数值模拟PCVD二氧化锡
