夏卫东
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 宽带声光可调滤光器
- 一种宽带声光可调滤光器,包括声光介质，声光介质安装在底座上，声光介质表面安装有至少两个换能器，每个换能器表面都镀制有表电极，各表电极分别与匹配网络连接，匹配网络与高频插座连接，所有换能器都通过键合层安装在声光介质的同一表...
- 张泽红李忠继刘玲杜明熙夏卫东秦廷辉何晓亮刘伟王智林吴畏雷波
- 文献传递
- 掺铈无机氧化物闪烁晶体规范
- 本规范适用于Ce:LYSO、Ce:LSO、Ce:YSO、CeLuYAP和Ce:GAGG等掺铈无机氧化物闪烁晶体（以下简称晶体）。
- 王佳胡吉海岑伟张俊罗夏林唐光庆李德辉夏卫东
- 宽带声光可调滤光器
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- 锗单晶在酸性SiO_(2)抛光液条件下的抛光机理及加工工艺被引量：2
- 2022年
- 该文研究了化学机械抛光(CMP)条件下,锗单晶在含HNO_(3)的SiO_(2)抛光液中的腐蚀过程。通过改变抛光时间,分析锗单晶表面状态的变化规律。结果表明,在SiO_(2)抛光液pH值为1~2时,SiO_(2)抛光液中存在Si—OH和Si—O-形式;锗单晶先与HNO_(3)反应生成Ge(NO_(3))_(4),而后Ge^(4+)的含氧酸盐会剧烈水解生成Ge—OH,Ge—OH继续反应并以Ge—OH_(2)^(+)形式存在。由于表面电荷的吸引,Si—O-和Ge—OH_(2)^(+)在锗单晶表面生成Si—O—Ge软化层,从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。抛光时间为15~20 min时,机械抛光和侵蚀的法向速度处于平衡状态,CMP抛光后锗单晶表面粗糙度S_(a)≤0.8 nm,10倍显微镜下无划痕、麻点。
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- 关键词：锗单晶化学机械抛光抛光液粗糙度
- 掺铈无机氧化物闪烁晶体加工工艺技术要求
- 本规范适用于Ce:LYSO、Ce:LSO、Ce:YSO、CeLuYAP和Ce:GAGG等掺铈无机氧化物闪烁晶体加工。
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- 一种线阵列晶条批量加工用夹具及加工方法
- 本发明公开了一种线阵列晶条批量加工用夹具及加工方法，该夹具包括夹具本体，夹具本体呈块状，且夹具本体的上表面和下表面水平设置，夹具本体上表面设有若干凹槽，从而构成若干用于放置晶块的容置腔，所有容置腔呈矩形且在夹具本体上呈阵...
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