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套格套

作品数:20 被引量:103H指数:7
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 15篇激光
  • 13篇激光器
  • 10篇半导体
  • 10篇半导体激光
  • 9篇腔面
  • 9篇功率
  • 9篇半导体激光器
  • 7篇功率半导体
  • 7篇大功率半导体
  • 6篇高功率
  • 5篇面发射
  • 5篇面发射激光器
  • 5篇发射激光器
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面
  • 5篇垂直腔面发射
  • 5篇垂直腔面发射...
  • 4篇增透
  • 4篇增透膜
  • 4篇大功率

机构

  • 16篇中国科学院长...
  • 5篇中国科学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 20篇套格套
  • 18篇王立军
  • 14篇刘云
  • 8篇路国光
  • 7篇孙艳芳
  • 7篇尧舜
  • 7篇宁永强
  • 6篇秦莉
  • 5篇金珍花
  • 5篇晏长岭
  • 4篇许祖彦
  • 4篇初国强
  • 4篇崔大复
  • 3篇李惠青
  • 3篇单肖楠
  • 2篇姚迪
  • 2篇王超
  • 2篇张云鹏
  • 1篇陈颖新
  • 1篇陈平

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 2篇光学精密工程
  • 2篇发光学报
  • 2篇第五届全国光...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇激光杂志
  • 1篇光电工程
  • 1篇第八届全国固...

年份

  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 6篇2005
  • 5篇2004
  • 1篇2002
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
全固态和频593.5nm黄光激光器激光反射镜的研制被引量:3
2005年
从双波长激光运转及和频的机理出发,研制了LD泵浦Nd:YVO4 晶体、LBO腔内和频593.5 nm连续黄光激光器激光反射镜的光学薄膜。为了达到最佳的和频输出,对膜系要求进行了分析,采用对谐振腔一端面反射率固定不变,对另一腔镜基频光透过率进行调谐的方法,给出合理初始结构后,利用计算机对膜厚进行优化,采用离子束溅射和离子束辅助沉积的方法,通过时间监控膜厚成功地制备出全介质激光反射膜。在室温下,实现1 064 nm和1 342 nm双波长连续运转,并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频实现593.5 nm黄色激光连续输出。当泵浦注入功率为1.8 W时,和频黄激光最大输出达85 mW,光光转换效率为4.7%,功率稳定性24 h内优于±2.8%。
卜轶坤郑权薛庆华套格套陈颖新钱龙生
关键词:激光反射镜ND:YVO4晶体临界相位匹配端面反射率光转换效率激光运转
大功率半导体激光腔面膜的研究
半导体激光器腔面膜是激光器的关键工艺,其目的之一是保护激光腔面,可以使激光器的寿命提高一倍以上;另外可以保证激光器单面出光,效率可以提高近一倍;还可以降低激光阈值、改善激光输出性能等.由于半导体激光出光面很小(0.1×1...
初国强套格套刘云王立军
关键词:半导体激光器件激光器
文献传递网络资源链接
68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块被引量:13
2006年
利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1 200μm,条宽200μm,填充密度为50%,前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,室温连续输出功率达到68.5 W,器件光谱中心波长为1 059 nm,光谱宽度(FWHM)为9 nm。
尧舜套格套路国光刘云姚迪王立军
关键词:半导体激光器高功率激光器高反膜增透膜
半导体激光器光学膜技术研究
本论文主要围绕808nm 连续大功率半导体激光器,980nm 连续大功率垂直腔面发射激光器和1064nm 连续、准连续大功率激光列阵模块光学膜的研制展开的。光学膜技术是研制半导体激光器的关键技术之一,光学膜性能的好坏直接...
套格套
关键词:垂直腔面发射激光器
文献传递
半导体激光器芯片条的夹具
本实用新型涉及到半导体激光器芯片条的夹具,包括:第一压力弹簧1、第二压力弹簧2、第一推力弹簧3、第二推力弹簧4、第三推力弹簧5、第四推力弹簧6、夹持板7、底座8、第一托板9、第二托板10、第三夹持器17、第四夹持器18;...
套格套路国光王立军
文献传递
高效率1.06μm波段大功率半导体激光列阵模块被引量:3
2006年
采用InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法,制作出高效率大功率1.06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1 200μm,条宽200μm,填充密度为50%;室温连续输出功率为50.2 W时光电转换效率达到56.9%。
尧舜套格套刘云王翔鹏姚迪王立军
关键词:半导体激光器高功率
耦合结构有机微腔的光致发光特性被引量:6
2007年
耦合光学微腔(Coupled optical microcavity,CMC)是一种特殊结构的微腔,在耦合微腔中,两个独立的微腔相邻耦合在一起。通常一个腔是无源的,另一个腔是有源的。首次研究了有机材料在耦合微腔中的自发发射特性。实验采用的有机发光材料为八羟基喹啉铝Tris(8-quinolinolato)aluminium(Alq3),器件的结构为Glass/DBRA/Filler/DBRB/Alq3/DBRC。底部腔是无源的,组成为DBRA/Filler/DBRB。顶部腔是有源的,由DBRB/Alq3/DBRC构成。其中反射镜DBRA、DBRB、DBRC以及填充层(Filler)均由光学介质材料构成。通过结构设计使两个腔的谐振波长均位于530nm。耦合微腔器件与单层Alq3薄膜相比较,Alq3薄膜的光致发光光谱是峰值位于511nm的宽谱带,而在耦合微腔器件中观察到的是具有两个腔模式,峰值波长分别位于518,553nm的增强并窄化的光谱。这是由于两个腔的光场耦合引起了腔模式分裂。结果表明耦合微腔能极大地改变有机材料的自发发射特性,可以用来提高器件的发光效率。
张春玉刘星元套格套王立军
关键词:发光学有机发光光致发光
808nm大功率半导体激光器的加速老化实验被引量:7
2005年
对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30 000 h。讨论了实验中出现的灾变退化现象,提出了防止灾变退化的几种方法。
路国光套格套尧舜孙艳芳单肖楠王超刘云王立军
关键词:大功率半导体激光器可靠性
高功率底发射VCSELs的制作与特性研究被引量:16
2004年
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性。通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率。分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系。结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管,室温下均达到连续输出功率1.95W,这也是目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率;实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系与理论计算所得结果一致。并特别讨论了直径200μm的器件的近场和远场光强分布,获得单横模工作。
孙艳芳金珍花宁永强秦莉晏长岭路国光套格套刘云王立军崔大复李惠青许祖彦
关键词:输出功率近场远场
大功率半导体激光器的可靠性研究被引量:8
2005年
文中介绍了半导体激光器寿命测试的理论依据,给出寿命测试的数学模型,据此对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808nm大功率半导体激光器进行高温恒流加速老化实验,得到器件在高温下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000小时。讨论了实验中出现的灾变退化,提出了防止灾变退化的几种方法。
路国光套格套尧舜单肖楠孙艳芳刘云王立军
关键词:大功率半导体激光器
共2页<12>
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