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姜岩峰

作品数：51 被引量：0H指数：0
供职机构：北方工业大学更多>>
发文基金：北京市优秀人才培养资助更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 9篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇理学

主题

  • 11篇感器
  • 11篇传感
  • 11篇传感器
  • 7篇衬底
  • 6篇电流
  • 6篇电路
  • 6篇离子注入
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 6篇硅纳米线
  • 5篇压力传感器
  • 5篇力传感器
  • 5篇集成电路
  • 4篇电荷
  • 4篇淀积
  • 4篇多晶
  • 4篇碳化硅
  • 4篇逻辑单元
  • 4篇功率因数校正
  • 4篇浮栅

机构

  • 51篇北方工业大学

作者

  • 51篇姜岩峰
  • 5篇赵帆
  • 5篇张晓波
  • 2篇刘晓静
  • 2篇鞠家欣
  • 2篇张静
  • 2篇葛一兵
  • 1篇刘文楷
  • 1篇杨兵
  • 1篇生晓坤

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇2009通信...
  • 1篇2006上海...
  • 1篇第二届中国西...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 11篇2012
  • 9篇2011
  • 9篇2010
  • 14篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多模式功率因数校正器的实现方法及装置
本发明实施例提供了一种多模式功率因数校正器的实现方法及装置，所述方法是通过零电流检测信号来控制多模式功率因数校正器PFC的开关切换频率；当负载低于预先设定值时，所述多模式PFC工作在临界模式；随着所述负载的增加，由所述零...
姜岩峰
高压隔离槽及其制作方法及MOS器件
本发明公开了一种高压隔离槽及其制作方法及MOS器件，包括延伸至晶圆的掩埋氧化层中的槽，槽的边墙注有高浓度的N+，槽内填充有多晶，多晶与槽的边墙之间填充有氧化物。采用多种复合结构填充空槽，一方面可以降低挖槽带来的应力，提高...
姜岩峰
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一种基于神经网络的模拟电路测试方法
本文提出了一种基于神经网络的模拟电路测试方法。该方法运用域的知识设计出一个训练集，能够在故障和非故障情况下特征定义电路的响应．训练集是电路在故障和非故障情况下所有响应空间的一般集合代表．仿真结果显示这种测试方法能够检测到...
刘晓静姜岩峰
关键词：模拟电路神经网络集成电路测试训练集软故障
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P型碳化硅器件及提高其欧姆接触性能的方法
本发明公开了一种P型碳化硅器件及提高其欧姆接触性能的方法，在P型碳化硅器件的P型碳化硅层与金属层之间设有多晶硅层，在P型碳化硅层上先采用LPCVD法淀积一层重掺杂多晶硅，再淀积金属Al的方法，用Al/多晶硅复合结构作为外...
姜岩峰
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低导通阻抗功率场效应管VDMOS的制作方法
本发明公开了一种低导通阻抗功率场效应管VDMOS的制作方法，包括步骤：A、在硅基层上生长外延层；B、在外延层上生长场氧化层；C、向外延层中进行离子注入；D、淀积栅氧化层及多晶硅层。在外延层上生长场氧化层后，有一个向外延层...
姜岩峰
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硅纳米线装配的方法
本发明公开了一种硅纳米线装配的方法，通过温度场的控制，应用硅纳米线在温度场中具有自组织的特性，能够用来装配平行的纳米线；硅纳米线通过稀磁杂化的方法，使之具有弱磁性，然后通过外加磁场控制的方法进行正交装配。既能装配互相平行...
姜岩峰
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单片集成的新型双重突波保护器件及其制作方法
本发明公开了一种单片集成的新型双重突波保护器件及其制作方法。双重突波保护器件包括LDMOS器件和二极管组，二极管组包括多个背靠背串联的二极管，二极管组的一端连接到LDMOS器件的漏极，另一端连接到LDMOS器件的栅极。可...
姜岩峰
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能够降位的数字脉冲宽度调制系统及方法
本发明公开了一种能够降位的数字脉冲宽度调制系统及方法，将多位比较单元分为多个高位比较单元和多个低位比较单元，构成独立的高位比较模块和低位比较模块，当系统产生的循环计数码与输入的数字信号进行比较时，首先将高位信号和低位信号...
姜岩峰
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一种LED照明灯亮度调整的方法以及用于PF调光功能的LED驱动电路
本发明涉及一种LED照明灯亮度调整的方法以及用于PF调光功能的LED驱动电路，所述方法包括：输入的电源信号经过整流桥之后，所述输入的电流含有许多高次谐波；增加PFC调节电路，对其功率因数进行校正；调节所设计PFC芯片的外...
姜岩峰赵帆
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基于磁隧道结器件的温度传感器
本发明公开了一种基于磁隧道结器件的温度传感器，包括MTJ器件、PMOS器件和模拟开关，PMOS器件的源极接电源，漏极与MTJ器件的输入端连接并引出电压输出端，MTJ器件的输出端通过模拟开关与地或电路连接，PMOS器件的漏...
姜岩峰
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