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VNPN激光辐射效应模拟分析被引量：1: 2019年; 通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性。; 左慧玲高吴昊刘承芳夏云孙鹏孙鹏; 关键词：激光辐照效应半导体器件非线性

低噪声高增益的微半球陀螺接口电路: 2023年; 微半球陀螺接口电路的性能直接影响着陀螺仪的关键性能指标,是微半球陀螺研究的重点。针对微半球陀螺微弱振动信号的测量需求,首先分析了几种电容检测电路,其中详细分析了几种跨阻放大电路(Trans-impedance Amplifier, TIA)的噪声模型;其次,对几种电容检测电路的本征噪声性能进行了详细的分析和对比;最后,通过分析和优化设计了一种低噪声高增益的微半球陀螺接口电路。接口电路由驱动电路和读出电路构成。读出电路由两级放大电路组成,第一级采用两路跨阻放大器对差分振动电容的微弱电流信号读出,第二级采用差动放大器对两路跨阻电路的输出信号进行放大,通过带通滤波实现了陀螺信号的读出功能。实验结果表明,本电路具备9.93V/fF的电容电压转换电路(Capacitor to Voltage, C/V)读出增益和0.039zF/Hz1/2(@16.76718kHz)的电容分辨率。; 李尧昌朱建港孙鹏孙鹏; 关键词：电容传感器带通滤波噪声分析

湍流壳模型的非线性动力学: 湍流的阵发性质是湍流运动的本质特征，是湍流理论研究的中心问题之一。上世纪七十年代以来，非线性动力学方法为考虑湍流问题提供了全新的视角。湍流和动力学系统的分岔、混沌、奇怪吸引子等概念有密切的关系。通过低维动力系统的研究，已...; 孙鹏; 关键词：非线性动力学混沌吸引子数值模拟

PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应: 2021年; 为获得N型金属氧化物半导体(NMOS)器件在γ射线辐照条件下的光电流特性,采用激光模拟技术,利用部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺NMOS器件进行激光照射试验,获得不同尺寸和拓扑结构器件在激光照射条件下光电流和激光入射能量之间的关系。利用TCAD仿真工具进行器件的光电流仿真,对比TCAD仿真与激光模拟试验数据,两组数据结果基本一致,验证了激光模拟技术的可行性和准确性。通过与理论计算得到的光电流进行对比,获得了理论计算与试验光电流之间的关系,并由此得到器件寄生双极晶体管在激光照射条件下的放大倍数。; 任尚清王博博蒋春生钟乐孙鹏孙鹏; 关键词：光电流

二极管光生电流影响因素的仿真研究被引量：1: 2018年; 通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境,对二极管的光辐照响应进行了仿真研究。首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数,然后对光吸收的概念进行了解释并详细说明了如何在仿真软件中表示光照参数,在不超过硅材料本征吸收限的光照波长领域中,对二极管光生电流的影响因素进行了仿真研究,并给出了相关结论。扩大了光照波长的研究范围,为以后进一步研究硅器件的光辐照响应奠定了良好的基础。; 刘承芳孙鹏孙鹏夏云左慧玲陈万军; 关键词：二极管光辐照影响因素

硅在脉冲激光作用下温度积累效应的数值模拟被引量：3: 2018年; 采用单温模型,利用有限元方法对硅在纳秒脉冲激光作用下的温度积累效应进行了数值模拟。给出了单脉冲、多脉冲作用下,硅表面附近的非平衡载流子浓度、自由载流子吸收系数和晶格温度随时间的变化规律。结果表明,自由载流子浓度的积累是温度积累的主要来源。对于多脉冲作用情况,脉冲间隔越短,脉宽越窄,温度积累效应越明显,最终形成的瞬时晶格最高温和温升值越大,越容易对材料造成损伤。; 孙鹏孙鹏李沫汤戈张健; 关键词：激光脉冲重复频率损伤阈值脉宽

放射性气载流出物网络监测系统的设计与实现: 设计一套放射性气载流出物网络监测系统，该系统基于网络数据库，采用C/S模式，可以同时采集多台iCAM/αβ气氛检测仪，实现了监测数据的远程采集、网络数据库存储、历史数据查询、设备远程控制等功能，解决了设备操作不便、界面显...; 李成邦孙鹏王佑智陈虎翅; 关键词：监测系统数据采集; 文献传递

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孙鹏