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施辉东

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇发光
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 2篇导电性
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光性能
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米棒阵列
  • 2篇局域
  • 2篇局域态
  • 2篇发光性
  • 2篇发光性能
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 1篇紫光
  • 1篇P-GAN
  • 1篇ZNO
  • 1篇LN

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇张曙光
  • 4篇董敬敬
  • 4篇尹志岗
  • 4篇张兴旺
  • 4篇施辉东
  • 2篇刘鑫
  • 2篇高红丽

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上...
施辉东张兴旺张曙光尹志岗董敬敬刘鑫
文献传递
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法，该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合，提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米...
张兴旺张曙光尹志岗董敬敬高红丽施辉东
文献传递
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法，该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的...
尹志岗张曙光张兴旺董敬敬高红丽施辉东
文献传递
ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法
一种ZnO纳米棒发光二极管，包括：一衬底；一p-GaN层，该p-GaN层制作在衬底上；一ZnO纳米棒阵列，该ZnO纳米棒阵列制作在p-GaN层上面的一侧，另一侧为台面；一石墨烯层，该石墨烯层制作在ZnO纳米棒阵列上；一上...
施辉东张兴旺张曙光尹志岗董敬敬刘鑫
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