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曾俞衡

作品数：111 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”长江学者和创新团队发展计划更多>>
相关领域：电气工程电子电信经济管理理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 90篇专利
  • 10篇会议论文
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇电气工程
  • 15篇电子电信
  • 9篇经济管理
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 58篇电池
  • 47篇钝化
  • 25篇隧穿
  • 24篇太阳能电池
  • 21篇掺杂
  • 20篇多晶
  • 20篇太阳能
  • 19篇多晶硅
  • 18篇太阳电池
  • 18篇硅薄膜
  • 11篇电阻
  • 11篇退火
  • 11篇非晶硅
  • 10篇氧化硅
  • 10篇衬底
  • 9篇叠层
  • 9篇接触电阻
  • 9篇接触电阻率
  • 8篇载流子
  • 8篇发射极

机构

  • 100篇中国科学院宁...
  • 11篇浙江大学
  • 1篇宁波大学
  • 1篇浙江浙能技术...

作者

  • 111篇曾俞衡
  • 88篇叶继春
  • 82篇廖明墩
  • 39篇刘伟
  • 18篇高平奇
  • 17篇王丹
  • 12篇童慧
  • 10篇王维燕
  • 10篇宋伟杰
  • 8篇杨德仁
  • 7篇马向阳
  • 7篇韩灿
  • 6篇黄金华
  • 6篇许炜
  • 6篇阙端麟
  • 5篇杨熹
  • 5篇盛江
  • 4篇沈文锋
  • 4篇李佳
  • 4篇谭瑞琴

传媒

  • 5篇太阳能
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学进展
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第五届新型太...

年份

  • 13篇2024
  • 17篇2023
  • 15篇2022
  • 11篇2021
  • 11篇2020
  • 6篇2019
  • 7篇2018
  • 8篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
共 111 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池
本发明提供一种改性隧穿氧化层及制备方法、TOPCon结构及制备方法和太阳电池，所述改性隧穿氧化层为经等离子体表面处理的SiO<Sub>x</Sub>，Si<Sup>4+</Sup>含量在SiO<Sub>x</Sub>中的...
闫宝杰曾俞衡邢海洋叶继春刘伟廖明墩马典林娜丁泽韬
用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用
本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度，具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻&gt;90Ω/sq。...
曾俞衡叶继春闫宝杰廖明墩杨阵海杨清张志黄玉清郭雪琪王志学
文献传递
一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法
本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第...
杜浩江叶继春曾俞衡杨阵海廖明墩刘伟行孟超王太强
一种用于绒面硅片钝化的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法
本发明提供一种用于绒面硅片钝化的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法，隧穿氧化物钝化接触结构包括依次层叠设置在硅衬底表面的介质层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述硅衬底的表面为随机金字塔绒面，所述介质层的材料为氧化硅薄膜，...
叶继春曾俞衡丁泽韬吴钦钦刘伟廖明墩杨阵海
一种湿法制备圆角化金字塔的方法
本发明涉及一种湿法制备圆角化金字塔的方法。具体地，所述方法包括如下步骤：1)提供圆角化处理液和具有金字塔结构的硅片；2)在所述圆角化处理液中湿法处理所述具有金字塔结构的硅片，得到具有圆角化金字塔结构的硅片，其中，所述圆角...
叶继春王丹曾俞衡高平奇廖明墩韩灿童慧
文献传递
钝化接触结构及其制备方法和应用
本发明公开了一种钝化接触结构，属于太阳能电池领域，它包括有衬底，所述衬底的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层和掺杂多晶硅层。本发明实施例提供了一种钝化接触结构，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，碳氧化硅...
叶继春曾俞衡闫宝杰刘尊珂廖明墩马典韩庆玲程皓郑晶茗刘伟
文献传递
氮掺杂多晶硅在TOPCon晶硅电池中的应用研究
晶硅太阳电池依然占据95%以上的市场份额[1,2],是光伏发电的主力军。提高电池效率和降低制造成本是光伏界永恒的追求。隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)太阳电池凭借其优异的钝化性能和较低的制造成本,引起业界的广泛关注[3...
叶继春刘尊珂闫宝杰曾俞衡
电荷选择性接触设计及非掺杂异质结晶硅太阳电池
＜正＞光伏科学界和工业界致力于简化器件结构和制造工艺的研发,以期通过技术创新带动生产成本的快速下降。与传统高温扩散掺杂技术相比,采用MoOx、PEDOT:PSS等高功函数空穴选择性传输层,及TiOx、LiF、MgOx、低...
高平奇何坚杨振海于静林豪王子磊童慧曾俞衡闫宝杰叶继春
文献传递
一种硼发射极金属化前处理方法及应用
本发明提供一种硼发射极金属化前处理方法及应用，硼发射极金属化前处理方法包括以下步骤：对半电池正面进行图案化处理，露出部分硼发射极，用腐蚀液对硼发射极进行腐蚀处理，形成表面活性位点，所述腐蚀液的组分包括水、硝酸银、氢氟酸、...
行孟超曾俞衡叶继春张文瑞王太强刘伟廖明墩杨阵海杜浩江
一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米晶异质结的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括硅衬底和硅衬底一面上依次叠设的界面氧化层、载流子收集层、介质层和重掺杂多晶硅层，所述载流子收集层由至少一层硅纳米晶薄膜构成。本发明的钝化接触结构...
叶继春曾俞衡廖明墩刘伟刘尊珂
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