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曾宇平

作品数：5 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学技术大学化学与材料科学学院材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇气敏
  • 3篇气敏传感器
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇气敏器件
  • 2篇气敏性
  • 2篇气敏性能
  • 2篇掺杂
  • 1篇淀积
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇氧化锡
  • 1篇气敏薄膜
  • 1篇气敏材料
  • 1篇溅射
  • 1篇二氧化锡
  • 1篇复合氧化物
  • 1篇SNO
  • 1篇SNO2

机构

  • 5篇中国科学技术...

作者

  • 5篇曾宇平
  • 4篇沈瑜生
  • 3篇张天舒
  • 1篇沈荷生

传媒

  • 2篇传感器技术
  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1994
  • 2篇1993
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
镉、锡复合氧化物薄膜的气敏性能被引量：2
1994年
以不同锡、镉比的CdO、SnO_2混合粉料作靶,采用直流溅射方法制得镉、锡复合氧化物薄膜。由XPS及SEM分别对薄膜的组成与形貌进行分析,并探讨了掺钯前后,Sn/Cd比、工作温度及气体浓度等对CdO—SnO_2混合溅射膜性能的影响。
张天舒曾宇平沈瑜生魏明瑾
关键词：复合氧化物气敏传感器镉
CdO／SnO_2双层薄膜的气敏性能被引量：2
1994年
以ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２粉料作为靶，采用直流溅射方法制得ＣｄＯ、ＳｎＯ＿２双层薄膜元件，比较了ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２与ＳｎＯ＿２／ＣｄＯ在性能方面的差异。认为ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２的气敏性能较好，并初步探讨了工作温度和膜厚等因素对ＣｄＯ／ＳｎＯ＿２元件的电学性质及气敏特性的影响。
曾宇平张天舒沈瑜生
关键词：SNO2CDO气敏传感器气敏器件
掺杂锡系氧化物薄膜气敏材料
曾宇平
掺钯二氧化锡气敏薄膜的实验研究被引量：1
1993年
XPS分析表明,用直流溅射法制备的掺钯薄膜气敏元件,钯的溅射率比锡高,在薄膜中钯的含量高于靶中的含量、和纯SnO_2薄膜相比,此元件对还原性气体有很高的灵敏度,尤其对H_2和CH_4.对于该元件的气敏机理也作了初步探讨.
曾宇平孟魏沈荷生沈瑜生
关键词：溅射掺杂气敏薄膜气敏器件
Pd在SnO2薄膜上的淀积、扩散及对气敏性能的影响被引量：12
1996年
在Ａｒ气氛中于ＳｎＯ２薄膜表面溅射一层很薄的金属钯。用ＳＥＭ、ＡＥＳ及ＸＰＳ等分析表明，Ｐｄ在ＳｎＯ２表面以三维束状小岛方式生长，热处理后Ｐｄ迅速扩散到ＳｎＯ２膜内，形成掺杂型的气敏元件。在元件的表面存在大量的化学吸附氧，低温下（～１６０℃）对极为稳定的ＣＨ４有很高的灵敏度，认为可能与低温下吸附氧主要为α氧（Ｏ－２）有关。
张天舒曾宇平沈瑜生
关键词：淀积气敏传感器二氧化锡
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