杜江锋
- 作品数：122 被引量：20H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
- Si衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT中SiNx钝化应力与界面缺陷特性关系研究
- Nx作为一种常见的绝缘材料,常作为AlGaN/GaN MIS-HEMTs的栅介质以及钝化层.LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)生长的SiNx的表面钝化效果好,并且钝...
- 白智元杜江锋刘勇于奇
- 关键词：高电子迁移率晶体管
- 一种具有结型场板的氮化镓高电子迁移率晶体管
- 本发明提出一种具有结型场板的氮化镓基高电子迁移率晶体管，在传统的氮化镓HEMT器件基础上，在其势垒层上方形成一个纵向的PN结作为耐压结构调制器件的表面电场，优化横向的电场分布，达到了提升击穿电压的目的。一方面，在栅极处于...
- 杜江锋蒋勇刚杜科赵智源
- 文献传递
- 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，属于半导体器件领域。其结构从下到上主要包括有衬底，氮化铝（AlN）成核层，氮化镓（GaN）沟道层，氮化铝（AlN）插入层，势垒层以及势垒层上形成...
- 杜江锋赵子奇马坤华尹江龙张新川罗谦于奇
- 文献传递
- 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要有衬底、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层以及复合栅介质层，在势垒层上形成与其成欧姆接触的源极、漏极以及成MIS结构的栅极，复合栅介质层...
- 杜江锋潘沛霖王康刘东于奇
- 文献传递
- 具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管
- 本发明公开了具有复合低K电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应管，从上至下主要由势垒层、沟道层、n<Sup>+</Sup>-GaN衬底、漏极组成，在所述势垒层上部设有源极和栅极，而在沟道层与n<Sup>+</Sup>-Ga...
- 杜江锋刘东白智元潘沛霖于奇
- 非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究被引量：1
- 2004年
- 基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。
- 杜江锋赵波罗谦于奇靳翀李竞春
- 关键词：传输线模型快速热退火载流子浓度电子隧穿施主
- AlGaN/GaN HEMT栅阶跃脉冲响应实验研究
- 2007年
- 通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23s、τ2=1.38s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。
- 卢盛辉杜江锋靳翀周伟杨谟华
- 关键词：高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态
- 蓝宝石上GaN基多层膜结构椭偏研究
- 2010年
- 对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究。所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得。应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响。研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关。
- 杜江锋赵金霞罗谦于奇夏建新杨谟华
- 关键词：GAN椭圆偏振光谱INNGA2O3
- 一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及钝化层组成，在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极...
- 杜江锋潘沛霖陈南庭王康于奇
- 文献传递
- X波段AlGaN/GaN HEMT器件物理与相关实验研究
- 具有高温、高频和大输出功率能力的宽禁带AlGaN/GaN HEMT器件已成为国内外研究的热点课题。由于异质外延生长的AlGaN/GaN HEMT材料存在晶格和热失配问题,特别是GaN基异质结器件存在很强的自发极化和压电极...
- 杜江锋
- 关键词：ALGAN/GANHEMT器件物理电流崩塌极化效应
- 文献传递
