杜石磊
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 808nm半导体激光器的温度特性被引量：6
- 2010年
- 用波长漂移法测试了808 nm半导体激光器额定功率分别为1 W,2 W,3W的器件在不同的输出功率下的热阻,得到额定功率为1 W的器件在输出功率为1 W时的热阻最小为4.28 K/W,额定功率为2 W的器件在输出功率为2 W时的热阻最小为5.45 K/W,额定功率为3 W的器件在输出功率为3 W时的热阻最小为5.5 K/W。并对额定功率为3 W的器件在不同的占空比下进行了测试,0.5%占空比脉冲条件下温升相当于持续条件下温升的19.6%。并用ANSYS模拟了器件温度随时间的变化,得出脉冲的特点是1 ms温升就能达到稳态的50%,0.1 s就能达到稳态的95%以上。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊
- 关键词：半导体激光器热阻ANSYS温度
- 脊型波导形状对单模半导体激光器输出特性的影响研究
- 现如今，因为半导体激光器的应用越来越广泛，所以人们对激光器的特性要求也就越来越多。由于脊型波导形状对激光器的输出特性有着很大的影响的，所以本论文就脊型波导形状对激光器的影响作出研究。
本文首先对半导体激光器的结构、...
- 杜石磊
- 关键词：半导体激光器激光器设计脊型波导
- C-mount封装不同激光器芯片尺寸的热阻分析被引量：10
- 2011年
- 采用波长漂移法对基于C-mount封装类型的不同尺寸芯片的热阻进行测量,得到了使热阻最小的最佳芯片尺寸和铟焊料厚度。测量结果表明,在铟焊料厚度为10μm、输出功率为2 W、条宽为200μm、腔长为2 000μm时,激光器芯片的热阻最小值为2.01℃/W。在铟焊料厚度为5μm和10μm两种条件下,对腔长为2 000μm的不同条宽的激光器芯片的热阻进行了测量,在铟焊料厚度为5μm时,激光器芯片的热阻由原来的2.01℃/W降到了1.85℃/W。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊王宇
- 关键词：激光二极管
- 基于AlN膜钝化层VCSEL激光器热特性的研究被引量：1
- 2010年
- 用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和SiO2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.123℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.377℃/W。经实验测得基于AlN膜钝化层的VCSEL热阻为3.54℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.75℃/W,模拟结果与实验结果吻合较好。
- 马祥柱霍晋曲轶杜石磊
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器SIO2膜ANSYS
