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杨爱龄

作品数：16 被引量：50H指数：5
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇光开关
  • 4篇全光
  • 4篇全光开关
  • 4篇全内反射
  • 4篇光学
  • 3篇光注入
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇载流
  • 2篇载流子
  • 2篇折射率
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇控光
  • 2篇集成光学
  • 2篇光控
  • 2篇光控光开关
  • 2篇光生
  • 2篇光生载流子
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇氮化硅膜

机构

  • 13篇浙江大学
  • 3篇杭州大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇浙江科技学院

作者

  • 16篇杨爱龄
  • 10篇江晓清
  • 9篇王明华
  • 7篇陈克坚
  • 5篇李锡华
  • 4篇唐奕
  • 3篇周剑英
  • 2篇傅柔励
  • 2篇张秀淼
  • 2篇周小平
  • 2篇杨建义
  • 1篇吴惠桢
  • 1篇占恒正
  • 1篇徐枝新
  • 1篇章建隽
  • 1篇徐晓玲
  • 1篇邱东江
  • 1篇傅丽伟
  • 1篇邵迪玲
  • 1篇石国华

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇杭州大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇光通信技术
  • 1篇光学仪器
  • 1篇浙江科技学院...
  • 1篇全国第十一次...
  • 1篇中国光学学会...
  • 1篇全国第十一次...

年份

  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 5篇2002
  • 1篇2000
  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光注入全内反射型全光开关
基于全内反射原理和光生载流子注入效应,采用扩展多模非对称Y分叉全内反射型结构,研制了一种1×2光控全光开关.对于1310nm波长,其开关的消光比可以达到18dB,同时,对光注入开关机理做了简单的探讨.
江晓清陈克坚唐奕杨爱龄李锡华杨建义王明华
关键词：光注入全内反射全光开关集成光学
文献传递
量子阱结构中的等效宽度分析
2002年
在有效质量近似下 ,分析了有限深势阱的电子基态能级 ,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较 ,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式 ,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好 .分析了两种模型下的波函数和结合能 ,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性 .
周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华
关键词：结合能GAAS/GAALAS光学性质
用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质被引量：1
1993年
本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及其成键状态,结果表明氮化硅膜中的氢含量是较高的,且氢原子大部分都与氮原子键合,在一定的意义上,可以把此膜看作是硅-氮-氢三元系。
张秀淼石国华杨爱龄
关键词：氮化硅俄歇电子能谱
(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的理论研究
1989年
本文用半经验紧束缚法研究了(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明(7,7)超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出(ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的禁带中很可能存在界面态。
杨爱龄傅柔励
关键词：硒化锌锗超晶格晶体
量子阱结构的等效宽度新公式
2002年
在有效质量近似下 ,分析了 Ga As/ Ga Al As量子阱结构中有限深势阱 (FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级 ,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式 ,发现结果与前人的数据吻合得很好 ;进一步的分析表明 ,该公式在非零电场下仍然适用 ,并从波函数角度进行了论证。
周小平周剑英杨爱龄李锡华江晓清王明华
关键词：GAAS/GAALAS无限深势阱
光致折射率变化的瞬态特性研究
本文采用数值方法求解半导体波导材料中的光生载流子影响折射率变化的连续性方程,得到了瞬态下折射率变化的时间和空间的分布情况。为更好的研究和制作全内反射型的高速全光开关做了有益的探索和理论铺垫。
陈克坚杨爱龄周剑英江晓清王明华
关键词：光生载流子折射率变化
文献传递
硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究被引量：5
2002年
对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅 (0 0 1)衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜 (AFM)观察 ,分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在 2 5 0℃衬底温度下获得的ZnO薄膜 ,膜表面平整 ,结构致密 ,表面平均不平整度小于 3nm ,说明在该衬底温度下获得的ZnO薄膜是高透明度、高质量。
章建隽杨爱龄
关键词：ZNO薄膜原子力显微镜AFM氧化锌表面形貌结构特性
光注入全内反射型全光开关
基于全内反射原理和光生载流了注入效应,采用扩展多模非对称Y分叉全内反射型结构,研制了一种1×2光控全光开关。对于1310nm波长,其开关的消光比可以达到18dB,同时,对光注入开关机理做了简单的探讨。
江晓清陈克坚唐奕杨爱龄李锡华杨建义王明华
关键词：光注入全内反射全光开关集成光学
文献传递
非对称Y分叉全内反射型全光开关被引量：1
2004年
基于全内反射原理和光生载流子注入效应 ,研究了一种 Y分叉全内反射型全光开关 .当控制光 (波长为80 5 nm)的强度达到 1 5 0 W/ m m2时 ,对于 1 31 0 nm波长 ,其开关的消光比可以达到 1 8d B。
陈克坚唐奕占恒正杨爱龄李锡华王明华江晓清
关键词：Y分叉全内反射全光开关
发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象被引量：1
2002年
揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变。
傅柔励傅丽伟杨爱龄
关键词：发光聚合物光激发磁化率极化子光电功能材料
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