林惠旺
- 作品数：63 被引量：84H指数：6
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科委项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术交通运输工程更多>>
- 不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究被引量：4
- 1998年
- Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．
- 钱伟金晓军张炯林惠旺陈培毅钱佩信
- 关键词：锗化硅HBT应变层
- 离子注入半导体瞬时退火设备
- 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高...
- 钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
- 文献传递
- MOCVD技术制备PZT薄膜的均匀性研究
- 本研究利用液态疏运方式(Liquid-Delivery)的MOCVD技术(LD-MOCVD)在金属衬底和硅衬底上制备了PZT薄膜，并对PZT薄膜的厚度均匀性、成分均匀性以及温度均匀性进行了研究。PZT薄膜在20.32cm...
- 谢丹阮勇任天令林惠旺刘理天
- 关键词：铁电材料铁电薄膜
- 文献传递
- 一种新型硅基厚膜压力/温度传感器的设计和制作被引量：7
- 2006年
- 设计并制作了一种新型传感器,它包含压阻式压敏元件和热敏元件两部分.其中压敏元件采用比常规更厚的50μm硅杯薄膜(500μm×500μm),增大了体硅上高应力区的面积,在降低工艺要求的同时提高了线性测量范围和过载压力.压敏电阻设计为折线结构,采用优化的几何尺寸,并将其部分制作在高应力体硅上以获得更高灵敏度.体硅上的温敏电阻随压敏电阻利用同步注入工艺制作,减小了工艺复杂度.该器件工艺简单,成品率高,与标准IC工艺兼容.初步的测试结果表明器件具有良好的性能.
- 张艳红刘兵武刘理天张兆华谭智敏林惠旺
- 关键词：压阻效应应力分布
- 具有可移动热挡板的半导体片红外快速热处理腔
- 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中...
- 钱佩信林惠旺刘志弘刘朋刘荣华
- 文献传递
- 超高真空化学气相淀积外延系统的张合式取放片机械手
- 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进...
- 钱佩信梁聚宝林惠旺刘荣华刘志弘陈长春张伟
- 文献传递
- 超高真空化学气相淀积外延系统
- 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华韩勇金晓军罗广礼陈培毅陈必贤白玉琦
- 文献传递
- SOI晶圆键合技术用于绝对压力传感器的制作
- 自从Nova Sensor将硅-硅键合技术引入到压力传感器的制作工艺后，键合工艺对简化压力传感器的制作工艺过程以及减小压力传感器芯片的面积发挥了巨大作用。本文对两片普通硅圆片键合的压力传感器和SOI晶圆片与普通硅圆片进行...
- 韩锐锐张兆华缪顾进任天令林惠旺刘理天
- Ti/Si(100)样品在快速退火(RTA)时的界面反应的研究被引量：4
- 1993年
- 运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界面反应,形成了TiSi_2金属硅化物相。在750℃RTA后,TiSi_2相已基本形成完善,再提高RTA温度,TiSi_2相增加甚少。快速热退火过程不同于一般的慢退火过程,主要通过TiSi_2晶格传递Si,从而促使界面处的钛和硅的继续反应。界面扩散的速度很快,TiSi_2物相的形成速度由Ti和Si的反应速度限制,不受Si扩散效应的影响。此外,俄歇线形分析还揭示了,在硅化物的形成过程中,钛硅物相在各界面层中的存在形式。
- 朱永法曹立礼林惠旺陈立
- 关键词：TISI(100)退火硅化钛
- 离子注入半导体瞬时退火设备
- 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高...
- 钱佩信侯东彦陈必贤马腾阁林惠旺李志坚
- 文献传递
