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2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器被引量：5: 1998年; 报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。; 陈高庭柏劲松张云妹耿建新方祖捷李爱珍郑燕兰林春; 关键词：中红外波段激光器量子阱材料 MBE生长

GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength被引量：1: 2001年; GSMBE grown 1 84 micron wavelength InGaAs/InGaAsP/InP strained quantum well lasers are reported. Lasers with 800 micron long cavity and 40 micron wide planar electrical stripe have been operated under the pulsed regime at room temperature. At 20℃, the threshold current density is 3 8kA/cm 2 and the external different quantum efficiency is 9 3%.; 柏劲松方祖捷张云妹陈高庭李爱珍陈建新; 关键词：GSMBE

1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器被引量：5: 2000年; 报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。; 柏劲松陈高庭张云妹方祖捷李爱珍郑燕兰林春; 关键词：量子阱激光器

GSMBE生长 1 .8- 2 .0μm波段In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器被引量：3: 2001年; 报道了气态分子束外延 ( GSMBE)生长 1.8— 2 .0μm波段 In Ga As/ In Ga As P应变量子阱激光器的研究结果 .1.8μm波段采用平面电极条形结构 ,已制备成功 10μm和 80μm条宽器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温下光致发光中心波长约为 1.82μm,在 77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流分别约为 2 5 0 m A和 6 0 0 m A ,中心波长分别在 1.6 9μm和 1.73μm附近 .2 .0μm波段 ,制备成功 8μm宽脊波导结构器件 ,器件腔长 5 0 0μm,室温光致发光中心波长约为1.98μm ,77K温度下以脉冲方式激射 ,阈值电流约为 2 0 m A ,中心波长约为 1.89μm。; 柏劲松方祖捷张云妹张位在陈高庭李爱珍陈建新; 关键词：GSMBE生长中红外波段应变量子阱激光器 INGAAS/INGAASP

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柏劲松