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高玉民

作品数：17 被引量：14H指数：3
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇中文期刊文章

领域

  • 17篇电子电信

主题

  • 7篇击穿电压
  • 6篇晶体管
  • 5篇功率器件
  • 3篇IGBT
  • 2篇电荷
  • 2篇终端
  • 2篇面电荷
  • 2篇耐压
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇LDMOST
  • 2篇表面电荷
  • 2篇场分析
  • 2篇场限环
  • 1篇电荷效应
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇电路
  • 1篇新型功率器件

机构

  • 17篇西安交通大学
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 17篇高玉民
  • 13篇罗晋生
  • 8篇唐本奇
  • 3篇弓小武
  • 1篇单建安
  • 1篇孙向阳
  • 1篇王晓春
  • 1篇武自录

传媒

  • 6篇电力电子技术
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇西安交通大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2000
  • 3篇1998
  • 6篇1997
  • 4篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非对称型IGBT击穿电压的数值分析
1994年
根据数值计算结果,提出了一种简便而又相当精确的设计非对称IGBT击穿电压的方法.
高玉民
关键词：击穿电压计算方法双极晶体管
表面电荷效应对场限环优化设计的影响被引量：3
1997年
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环洁构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式。分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响，计算结果与文献中的数值模拟结果相符合，推得的公式可应用于场限环结构的实际设计。
唐本奇高玉民罗晋生
关键词：场限环表面电荷电荷效应功率器件
自保护MOS栅晶闸管
2000年
本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 .这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性 .因此 ,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区 .器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节 ,极大增加了使用的灵活性 .此外 ,器件保护点电流和电压的温度系数均为负 。
高玉民单建安许曙明
关键词：自保护安全工作区SOI沟槽隔离
IGBT闩锁现象的解析模拟被引量：1
1995年
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数及ＮＰＮ管基区横向电阻值随电流密度变化的解析模型，并据此对条形和矩形元胞结构的ＩＧＢＴ器件编制了闩锁电流分析计算程序，取得了与国外报道相一致的结果。
孙向阳高玉民罗晋生
关键词：IGBT双极性晶体管闩锁晶体管
浅结高压器件终端场分析与实验
1996年
采用二维有限元数值分析法，开发出用于反向偏置ｐｎ结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法，并以三环浅结带场板终端为例，给出部分模拟实例。
弓小武高玉民罗晋生
关键词：电力半导体器件终端
横向功率器件及其结终端保护技术
1997年
横向功率器件及其结终端保护技术ＬａｔｅｒａｌＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＴｈｅｉｒＪｕｎｃｔｉｏｎＴｅｒｍｉｎａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生（西安７１００４９）１前言横向功率器件及其结终端保护技术的发展，并不完全等同...
唐本奇高玉民罗晋生
关键词：功率晶体管横向功率器件
IGBT和VDMOS解析模型和模拟被引量：4
1996年
采用解析分析的方法．开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件．它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模拟结果和实验结果。
弓小武高玉民罗晋生
关键词：IGBTVDMOS晶体管解析模型
单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析被引量：7
1998年
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环结构击穿电压以及优化环间距的归一化计算公式．分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影响，计算结果与文献中的数值模拟结果相符合。
唐本奇高玉民罗晋生
关键词：功率器件
RESURF 二极管的低温优化模型
1997年
首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二极管的低温优化模型，推导出７７Ｋ～３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。该模型可应用于ＬＤＭＯＳＴ和ＬＩＧＢＴ等ＲＥＳＵＲＦ器件的低温优化设计。
唐本奇王晓春高玉民罗晋生
关键词：二极管击穿电压
内场限环结构横向MOS晶体管的优化分析
1997年
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的耐压。
唐本奇高玉民罗晋生
关键词：LDMOST高压集成电路MOS晶体管
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