王绍华
- 作品数：14 被引量：48H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术医药卫生化学工程更多>>
- 近化学计量比铌酸锂晶体组分过冷与临界生长速率研究被引量：3
- 2005年
- 本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级。通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果。提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体。
- 郑燕青施尔畏王绍华陈辉卢网平孔海宽陈建军路治平
- 关键词：近化学计量比
- CsI:Tl晶体的结晶习性
- 1997年
- 本文研究了熔体下降法生长大尺寸ＣｓＩ：Ｔｌ晶体的结晶习性。从结晶化学角度分析了晶体中的结构基元为Ｃｓ－Ｉ８立方体，属于立方紧密堆积型，根据负离子配位多面体生长基元理论模型，研究了立方八面体在晶体中的结晶方位和各个面族上相互联结的稳定性，讨论了晶体各个面族的显露顺序为：｛００１｝＞｛１１０｝＞｛１１１｝＞｛２１０｝。在晶体生长过程中，同一个面族的晶面在不同的温度和温度梯度下，生长速率也有所不同，表现在固－液界面形状凸与凹的变化上。界面形状的变化机理是从结晶动力学角度进行分析的。在相同的温度和温度梯度条件下，不同取向的籽晶固液界面的形状不同，是由于Ｃｓ－Ｉ８立方八面体在不同面族上叠合的稳定性不同所致。在轴向和径向温度梯度一定的情况下，籽晶取向为［１１１］、［１１０］和［１００］时，固液界面的凸凹程度有明显的差别：［１１１］反应比较敏感，［１１０］和［１００］为其次。固液界面的形状对晶体质量和Ｔｌ在晶体中的分布均匀性影响很大。在凹界面生长的晶体中微裂纹比较发育，大多数集中在中部，沿｛１１０｝、｛１００｝面族分布和Ｃｓ－Ｉ８立方面开裂，并在裂纹处常见有黄褐色杂质充填。当晶体生长过程中，轴向温度梯度大于径向温度梯度时?
- 王绍华沈定中任国浩殷之文
- 关键词：结晶习性温度梯度铊晶体生长
- 掺铈硅酸镥(Lu_2SiO_5:Ce)晶体的生长与闪烁性能被引量：13
- 2003年
- 用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
- 任国浩王绍华李焕英陆晟
- Li_6Gd(BO_3)_3:Ce晶体的提拉法生长和闪烁性能被引量：2
- 2006年
- 采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体．XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21／c空间群．对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因．晶体在380-800nm之间的透过率接近90％, 200-380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的．不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移．该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30．74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28．84％．
- 陈俊锋李赟宋桂兰姚冬敏袁兰英齐雪君王绍华
- 关键词：晶体生长
- 下降法生长Bi_4Ge_3O_(12)大尺寸单晶中散射芯的形成和消除
- 2002年
- 本文报道了以Bi2 O3 和GeO2 粉末为原料 ,采用改进的Bridgman法生长的大尺寸单晶中的散射芯现象。借助于显微镜和电子探针对散射芯进行了研究 ,发现散射芯主要是由铂金微颗粒组成。分析了散射芯产生的原因 。
- 肖海斌胡关钦王绍华徐力
- 关键词：下降法BRIDGMAN法晶体生长
- Sb_2O_3掺杂对提高PbWO_4晶体光学及闪烁性能的作用被引量：6
- 2000年
- 采用改进的布里奇曼 (Bridgman)法生长了掺杂Sb2 O3的PbWO4 晶体。基于透射光谱、紫外激发及其发射谱、X射线激发的发射谱、光输出和辐照损伤等方面的测试 ,讨论了Sb2 O3掺杂对提高PbWO4 晶体光学及闪烁性能的作用。
- 王绍华沈定中任国浩倪海洪蔡晓琳殷之文
- 关键词：掺杂钨酸铅晶体SB2O3
- 下降法生长PWO晶体中光散射中心的观察与分析被引量：3
- 1999年
- 本文根据光学显微镜、扫描电镜、电子探针微区成分分析和晶体退火过程的实时观察，将存在于 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中的光散射中心分为３ 种类型：气态包裹物、固态包裹物和微空洞。根据电子探针微区成分分析和 Ｘ Ｒ Ｄ 物相测定，认为固态包裹物的组成为 Ｗ Ｏ３ ， Ｐｂ２ Ｗ Ｏ５ 和杂质聚集形成的低共熔点化合物。 Ｗ Ｏ３ 颗粒是原料中局部 Ｗ Ｏ３ 未充分固相反应的残留物； Ｐｂ２ Ｗ Ｏ５ 是 Ｗ Ｏ３ 和局部过量的 Ｐｂ Ｏ 反应形成的。微空洞是晶体中空位聚集在一起形成的二次缺陷，晶体中的光散射朦芯主要由微空洞构成。通过对光散射中心的成因分析，提出了消除此类宏观缺陷的工艺措施。
- 王绍华沈定中任国浩蔡晓林殷之文
- 关键词：PBWO4晶体下降法晶体生长
- 核医学成像技术对无机闪烁材料的需求被引量：13
- 2002年
- 介绍了目前正在使用的X-射线成像屏、X-CT和PET等核医学成像技术的原理及其探头对无机闪烁体的性能要求,展示了几种最有发展前景的无机闪烁晶体——硅酸镥(LSO)、铝酸镥(LuAP)和钨酸铅晶体的研究现状和存在的问题。指出透明陶瓷闪烁体的出现是对传统闪烁晶体的一个挑战。
- 任国浩王绍华
- 关键词：闪烁体
- 近化学计量比LiNbO_3晶体电畴结构观察和机理探讨被引量：1
- 2005年
- 采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长了各种不同成分的近化学计量比LiNbO3晶体,并用腐蚀法观察了其电畴结构.结果表明,化学成分对未经极化处理晶体的电畴结构起决定性作用,当Li2O含量处于49.4mol%附近时,晶体z面电畴呈现特殊的三次对称反畴;当晶体中Li2O含量为49.7mol%时,晶体为完全单畴.本文对其形成机理进行了探讨,认为在由顺电相向铁电相转变时,局部铁电畴的极性方向与该处沿z轴方向的温度梯度正负密切相关,z轴生长晶体时,由于相变发生所处位置离生长界面的距离受LiNbO3晶体计量比影响,所处温场固有温梯也随之不同,在此基础上解释了不同成分晶体的电畴结构形成原因.最后讨论了控制铁电畴结构的工艺措施.
- 郑燕青陈建军路治平王绍华施尔畏
- 关键词：LINBO3晶体化学计量比电畴结构
- 钨酸铅晶体中痕量杂质元素的分布特征及其对晶体性能的影响被引量：1
- 2002年
- 利用GDMS分别测试了用Bridgman方法生长的十个全尺寸钨酸铅晶体顶、底两端的杂质含量 ,发现在PWO晶体中 ,K、Na、Mo、As、Y等杂质元素富集于晶体的顶部 ,具有分凝系数小于 1的特征。Ca和Ba杂质则富集于晶体的底部 ,具有分凝系数大于 1的特征 ,Al、Si、Cu等杂质的分布缺乏明显的规律性。这些杂质主要来源于生长晶体时所使用的WO3 原料。根据掺杂实验 ,认为K、Na、Mo、As等是影响PWO闪烁性能的有害杂质 ,Ca和Ba是无害杂质 ,Y是有益杂质 ,Al、Si、Cu等杂质的行为尚不明确。
- 任国浩沈定中王绍华倪海洪蔡晓琳
- 关键词：钨酸铅晶体痕量晶体性能
