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黄瑞

作品数：42 被引量：2H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 12篇电池
  • 12篇隧道结
  • 12篇太阳能电池
  • 9篇单晶
  • 9篇SI基
  • 8篇电极
  • 8篇太阳能
  • 8篇减反射膜
  • 7篇籽晶
  • 7篇键合
  • 6篇激光
  • 6篇光电转换
  • 6篇光电转换效率
  • 5篇导模
  • 5篇衬底
  • 4篇导电薄膜
  • 4篇透明导电
  • 4篇透明导电薄膜
  • 4篇金属
  • 4篇金属电极

机构

  • 42篇北京工业大学

作者

  • 42篇黄瑞
  • 37篇王智勇
  • 30篇兰天
  • 9篇代京京
  • 9篇李颖
  • 2篇杨武雄
  • 2篇赵明
  • 2篇刘学胜
  • 2篇肖荣诗
  • 2篇刘友强
  • 2篇陈铠
  • 2篇李冲

年份

  • 7篇2024
  • 1篇2023
  • 13篇2022
  • 8篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器
一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器,属于激光器技术领域。该激光器为一种利用具有DBR结构的垂直腔面发射激光器的外延结构从下向上的顺序依次包括衬底、N型掺杂层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、光刻胶...
王智勇徐晟李冲王聪聪黄瑞
文献传递
一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As单晶片；n‑Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As单晶片的上下表面掺杂形...
王智勇黄瑞兰天
一种AlGaAs单晶的制备方法及制备装置
本发明公开了一种AlGaAs单晶的制备方法及制备装置，包括：向封闭反应室内的坩埚中间隔放入多层Al粉和Ga块，并在最上层放置As块；将反应室抽成高真空状态且加热，上层As块达到沸点，形成As蒸汽，下层Al粉和Ga块达到熔...
王智勇黄瑞兰天
一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法
本发明公开了一种Si基双面电池隧道结的结构及其制备方法，包括：N型Si衬底和N型Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P<Sup>+</Sup>型Si层和N...
王智勇黄瑞兰天
文献传递
一种基于基质面化学反应的固体薄膜剥离方法
本发明公开了一种基于基质面化学反应的固体薄膜剥离方法，包括：在硅衬底A表面制备一层SiO<Sub>2</Sub>层；在半导体衬底B表面制备一层钝化层，从钝化层一侧向半导体衬底B中注入离子，在半导体衬底B形成离子注入层；其...
王智勇黄瑞兰天
文献传递
一种SOI材料的制备方法
一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO<Sub>2</Sub>的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键...
王智勇李颖兰天周广正黄瑞代京京
文献传递
一种氮化物单晶生长装置及方法
本发明实施例提供一种氮化物单晶生长装置及方法，包括：坩埚位于反应室内，加热器位于坩埚外表面，每一单晶生长模块位于坩埚内，坩埚用于放置目标金属熔体，第一电极位于所述坩埚内；对于任一单晶生长模块，导模板位于所述坩埚内，籽晶夹...
王智勇黄瑞兰天李颖
文献传递
一种Si基双面双结AlGaAs太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种Si基双面双结AlGaAs太阳能电池及制备方法，包括：N型Si衬底和N型AlGaAs功能层；N型Si衬底的上下表面分别掺杂形成P<Sup>+</Sup>‑Si层和N<Sup>+</Sup>‑Si层；N型A...
王智勇黄瑞兰天
硅基应力补偿金属中间层化合物半导体晶圆的结构及制备方法
本发明公开了一种硅基应力补偿金属中间层化合物半导体晶圆的结构及制备方法，自上至下依次包括：化合物半导体晶圆、金属层M<Sub>1</Sub>、金属层M<Sub>2</Sub>和硅片；化合物半导体晶圆的热膨胀系数＞金属层M...
王智勇黄瑞兰天
文献传递
一种GaAs双面双结薄膜太阳能电池结构及制备方法
本发明公开了一种GaAs双面双结薄膜太阳能电池结构及制备方法，包括：p型基底层；p型基底层的一侧依次形成有隧道结层、n型非晶硅层、第一i型非晶硅钝化层、p<Sup>+</Sup>型非晶硅层、SiON钝化层、第一透明导电薄...
王智勇黄瑞兰天
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