黄美纯
- 作品数：113 被引量：229H指数：7
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- （Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性被引量：1
- 1996年
- 用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．
- 沈耀文张志鹏陈龙海黄美纯
- 关键词：电子结构超导电性
- InSb的Li嵌入电压轮廓曲线从头计算被引量：7
- 2004年
- InSb是很有应用前途的Li离子电池非碳类负极材料 .使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了InSb在Li嵌入时的 12 5种不同情况下的总能、形成能以及平衡体积等 ,进而参考电压轮廓实验曲线 ,筛选出了若干条理论上可能的反应路径 ,得到了Li嵌入时的电压轮廓曲线 .结果表明 ,从体InSb相到Li3Sb相之间没有中间经历五个相及五个相以上的反应路径 ;中间经历一个相的最可能反应过程为Li+In4 Sb4 →Li1 In4 Sb4 ,11Li +Li1 In4 Sb4 →Li1 2 Sb4+4In ;中间经历四个相的仅有一条反应路径 :Li +In4 Sb4 →Li1 In4 Sb4 ,2Li +Li1 In4 Sb4 →Li3In4 Sb4 ,4Li +Li3In4 Sb4 →Li7In3Sb4 +In ,3Li+Li7In3Sb4 →Li1 0 In2 Sb4 +In ,2Li+Li1 0 In2 Sb4 →Li1 2 Sb4
- 刘慧英侯柱锋朱梓忠黄美纯杨勇
- 关键词：赝势密度泛函理论
- 金属铝中Si点缺陷的第一原理研究被引量：2
- 1996年
- 点缺陷是固体中最简单的一种缺陷,然而固体的许多物理和机械性质都敏感于点缺陷的存在。另外,固体中的其他各种对材料性质起决定作用的缺陷,如线缺陷、面缺陷和空洞等都受到与点缺陷的相互作用的影响。因此,详细地研究点缺陷的性质对理解材料的微观和宏观性质都有重要作用。由于金属铝及其合金在航空航天和电子工业上的重要性,对铝及其合金的研究受到了很大的重视。硅是铝中最重要的杂质缺陷之一。铝-硅合金也是最重要的商业化合金之一(当加入0.01％(重量分数)Na时)。这种合金的微结构和机械性质在少量外来原子加入后得到了很大的改善。
- 朱梓忠黄美纯陈子亭何启明
- 关键词：点缺陷形成能铝硅
- 纳米硅量子点的自然形成及其发光特性被引量：2
- 2000年
- 用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。
- 高文秀陈松岩刘宝林黄美纯陈小红杨祖慎
- 关键词：硅量子点纳米
- GAT的优化设计分析
- 2001年
- 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。
- 庄宝煌黄美纯朱梓忠李开航
- 关键词：功率器件优化设计电力半导体器件
- 应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究被引量：2
- 1994年
- 对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）＿１（ＧａＡｓ）＿１（００１），（ＩｎＰ）＿ｎ（ＩｎＡｓ）＿ｎ（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ＿ｖ和平均键能Ｅ＿ｍ的行为，对以Ｅ＿ｍ为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡｓ和Ａｌ－Ａｓ５种化合物在３种不同的应变状态下的Ｅ＿ｍ－Ｅ＿ｖ值作了从头计算，求出了由这几种材料构成的５种应变层超晶格的ΔＥ＿ｖ值，并讨论了它们的应变效应。本文的计算结果与目前可以得到的实验结果及几个有关的界面自洽计算结果相当一致。
- 柯三黄王仁智黄美纯
- 关键词：超晶格半导体价带电子结构
- 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3
- 2004年
- 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。
- 陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯
- 关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火
- 多量子阱结构的MOVPE生长
- 1997年
- 利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
- 陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
- 关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
- 超晶格(GaAs)_n/(InAs)_1(001)的光学性质被引量：2
- 1999年
- 采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ（ＬＭＴＯ）能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算．在得到较准确能带结构和本征波函数的基础上，计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω）、折射率和吸收系数．结果表明，该超晶格表现出的光学性质和ＧａＡｓ 体材料不相同，在１．５～２．５ｅＶ 能量范围的吸收系数增大。
- 李开航黄美纯张志鹏朱梓忠
- 关键词：超晶格砷化镓砷化铟
- Si基光发射材料的探索被引量：7
- 2002年
- 由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (OEIC)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外 ,最近已有若干令人鼓舞的方案 ,包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法 ,实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上 ,认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料 ,以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求 ,较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程 ,对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则 ,并设计出一种新的硅基超晶格。通过计算机模拟计算表明 ,其中Se/Si10 /Se/Si10 /Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征 ,其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能 ,其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此 。
- 黄美纯张建立李惠萍朱梓忠
- 关键词：超晶格光电子材料响应速度发光材料微电子技术
