王银海 作品数:12 被引量:129 H指数:5 供职机构: 安徽大学物理与材料科学学院物理系 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 安徽省高校省级自然科学研究项目 更多>> 相关领域: 理学 一般工业技术 化学工程 电气工程 更多>>
交流电在Al_2O_3模板中沉积金属机理探讨 被引量:57 2001年 以铝阳极氧化形成有序的多孔氧化铝为模板,利用交流电在模板孔洞中沉积金属 Ag得到纳米 Ag粒子 /Al2O3组装体系,透射电镜观察证实在氧化铝模板中有金属纳米 Ag粒子存在 .分析了交流电能在孔洞中沉积金属的原因是由于 Al/Al2O3界面的整流特性,测量了 Al/Al2O3界面的 I- U关系曲线 . 王银海 牟季美 蔡维理 石刚关键词:氧化铝模板 整流特性 银纳米粒子 纳米级La_(1-x)Ba_xCoO_3半导体陶瓷的制备与湿敏性能 被引量:3 2001年 采用Sol gel法化学工艺在较低温度下合成纳米级La1 xBaxCoO3(X =0 ,0 .1≤X≤ 0 .2 )湿敏半导体陶瓷 .用XRD、BET比表面吸附、Archimede排水法等技术对所合成陶瓷物相和结构进行了表征和分析 .湿敏特性测试结果表明 ,La1 xBaxCoO3半导体纳米陶瓷有一定的湿敏性能 ,当X =0 ,材料呈负湿 阻特性 ,当 0 .1≤X≤ 0 .2 ,材料呈正湿 阻特性 .从晶界层空穴载流子数角度合理解释了La1 xBaxCoO3纳米陶瓷的正湿 陈秀芳 莫茂松 王银海 刘艳美关键词:纳米陶瓷 半导体陶瓷 镍有序纳米孔洞阵列厚膜的制备和表征 被引量:9 2001年 以阳极氧化铝为模板通过两步复型的方法制备了金属镍的有序纳米孔洞阵列厚膜.镍膜的孔道彼此平行呈六角排列孔径约40nm孔洞间距80nm孔密度约1011个/cm2. 许彦旗 蔡维理 王银海 牟季美关键词:多孔阳极氧化铝 镍 电沉积 表面形貌 纳米α-Fe<,2>O<,3>的Mossbauer谱学研究 王银海钛掺杂的α-Fe_(2)O_(3)-K_(2)O系纳米湿敏陶瓷的复阻抗谱 被引量:2 2000年 采用硬脂酸凝胶法这种化学新工艺制备了α Fe2 O3 TiO2 K2 O复合氧化物纳米湿敏陶瓷元件 ;研究了该元件在不同湿度下的复阻抗谱 ,并建立相应的模拟等效电路 ;材料晶粒电阻、晶界电阻等特征参数计算结果表明 ,晶粒电阻基本不随湿度变化 ,晶界电阻随湿度升高而降低 .从晶界电阻角度探讨了本系材料的湿敏导电机制 ,低湿阶段导电载流子为电子和自由H+,自由H+以氢桥键过渡态机制迁移 ,中、高湿阶段导电载流子以H3O+为主 . 莫茂松 王银海 刘松琴 陶凤英 敖自华关键词:湿敏陶瓷 复合氧化物 纳米晶CdFe_2O_4的制备与湿敏性能研究 被引量:7 2002年 采用硬脂酸凝胶法化学工艺在较低温度下合成CdFe2 O4纳米晶材料。TG DTA热分析表明 :纳米晶CdFe2 O4在 410℃左右晶化形成 ;XRD、BET比表面吸附等技术表征结果表明 ,所合成纳米晶CdFe2 O4属立方尖晶石结构 ,平均晶粒度为15~ 2 3nm ,Cd2 + 适度过量对CdFe2 O4晶粒生长具有抑制作用。湿敏特性测试结果表明 ,纳米晶CdFe2 O4湿敏元件感湿灵敏度优于相应的常规陶瓷元件 ,Cd2 + 适度过量 (Cd2 + /Fe3 + >1/2 ) ,可达到调制纳米晶湿敏电阻值范围及减小材料湿滞的双重目的。初步探讨了过量Cd2 + 影响CdFe2 O4纳米晶材料湿敏性能的内在原因。 王银海 莫茂松 邵名望 尹萍关键词:纳米晶 湿敏特性 固溶 纳米Cu/Al_2O_3组装体模板合成与光吸收 被引量:25 2001年 以有序的多孔氧化铝为模板 ,利用交流电在孔洞中沉积金属铜得到纳米Cu粒子 Al2 O3 组装体系 .透射电镜观察显示随着交流电沉积时间的延长 ,孔洞中纳米Cu粒子数量增加 .测量了纳米Cu粒子 Al2 O3 组装体系的紫外可见光吸收光谱 ,发现随着孔洞中纳米Cu粒子数量增加 ,纳米Cu粒子 Al2 O3 组装体系的吸收带边大幅度红移 ;根据雷利散射引起的消光增强解释了组装体吸收带边红移的原因 .同时发现Cu粒子的表面等离子共振吸收峰消失及组装体在吸收带边区光吸收值满足间接带隙半导体光吸收边的表达式 . 王银海 牟季美 蔡维理 许彦旗关键词:纳米铜 光吸收 透射电镜 交流电 一种新的电化学方法制备CdS纳米线阵列 被引量:35 2002年 用一种新的电化学方法在多孔氧化铝模板中制备了CdS纳米线阵列体系,并用XRD、TEM对样品进行表征,结果显示CdS纳米线为立方相和六方相的多晶混合结构,对沉积机理进行了讨论 荧光光谱测量显示CdS纳米线阵列体系有三个强的紫外发光带和一个黄绿发光带 该文所使用的方法可以用来在氧化铝模板中制备其它材料的纳米线阵列体系. 王银海 许彦旗 蔡维理 牟季美关键词:CDS 纳米线阵列 氧化铝 硫化镉 半导体材料 硼掺杂对α-Fe_2O_3-K_2O湿敏半导体陶瓷结构与性能的影响 被引量:1 2000年 用硬脂酸凝胶法工艺合成不同配比的α Fe2 O3 K2 O B2 O3复合氧化物超微粉 ,经液相烧结法制得多孔陶瓷材料 .采用XRD技术、Archimede排水法及压汞法等研究了材料物相、晶粒度及微孔结构 ;电导测试实验表明 ,B2 O3掺杂相可能以非晶态均匀包覆在主晶相晶粒表面及晶界处 ,K+被吸收包埋在B2 O3非晶相中 ;湿敏特性测试结果表明 ,硼掺杂 5% (摩尔分数 )左右 ,全湿区内材料阻 湿特性曲线线性关系良好 ,且感湿灵敏度较高、湿滞小 ,改变掺杂配比 ,可获得不同湿敏转变点的阻 湿特性曲线 ;初步探讨了材料多孔结构与湿敏性能之间的关系 ,得出通过硼掺杂调控材料微结构 ,可明显提高材料湿敏性能稳定性的结论 . 莫茂松 阙立志 王银海 汪云 陈小萍 王弘关键词:硬脂酸凝胶法 硼掺杂 湿敏陶瓷 纳米Hg_2Cl_2/Al_2O_3有序阵列体系的制备和表征 被引量:2 2002年 We have prepared ordered porous alumina membrane. Metal Zn was deposited within the pores of alumina membrane by direct current. The alumina membrane with Zn in the pores was immersed in HgCl 2 solution and Hg 2Cl 2/Al 2O 3 ordered array was synthesized by utilizing Zn reduced HgCl 2. The XRD and TEM measuring demonstrated Hg 2Cl 2 located in the pores of alumina membrane and the diameters range from 30 to 80 nm. 王银海 牟季美 蔡维理 姚连增 刘艳美关键词:有序阵列 电沉积 甘汞电极 纳米材料 氯化汞