田彦宝
- 作品数：26 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国科学院遗传与发育生物学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京教委资助项目北京市教委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术生物学金属学及工艺更多>>
- 环境扫描电镜中电荷环境的测量被引量：3
- 2007年
- 在环境扫描电镜(ESEM)中,采用高灵敏度的pA-表测试系统,测量法拉第杯,以及Cu-Zn合金、单晶Si、单晶Al2O3三种样品的样品电流(ISP)。ISP值反映出由电子流和离子流控制的ESEM样品室内的电荷环境。法拉第杯的ISP反映出入射电子和离子所控制的电荷环境;样品的ISP反映出入射电子、信号电子和离子所控制的电荷环境。由ISP值可确定ESEM在不同操作和环境条件下的离子化效率、离子化饱和程度,以及气体分子的散射作用。
- 付景永吉元张隐奇王丽田彦宝徐学东韩晓东
- ZnO纳米线原位生长的ESEM方法被引量：4
- 2006年
- 以环境扫描电镜(ESEM)为基础,配置氧气微注入系统及加热台附件,作为ZnO纳米线生长的微型实验室。实验结果表明,纯Zn片在环境压力为1×10-2Pa和300℃的环境条件下,可原位反应生成直径几十纳米的、较均匀的ZnO纳米线。
- 田彦宝吉元付景永张隐奇权雪玲张跃飞郑善亮韩晓东
- 关键词：ZNO纳米线
- 镀膜仪用样品台及镀膜仪
- 本实用新型涉及实验设备技术领域，提供一种镀膜仪用样品台及镀膜仪。该镀膜仪用样品台，包括：载物台、第一样品座组件和第二样品座组件；载物台设有多个安装孔，第一样品座组件和/或第二样品座组件转动设置于安装孔。本实用新型提供的一...
- 田彦宝
- 半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)
- 半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用X射线衍射(XRD)和同步辐...
- 吉元田彦宝王俊忠张隐奇牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 关键词：EBSD技术晶体取向
- 文献传递
- 半导体外延系统微区应力的EBSD研究(邀请报告)
- 1．引言半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。由于激光器、发光二级管等光电子器件的外延层厚度仅为几纳米～几十纳米,采用 X 射线衍射(XR...
- 吉元田彦宝王俊忠张隐奇牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 文献传递
- 微区应力和应变的电子背散射衍射分析
- 本论文采用高分辨热场发射扫描电镜(TFE-SEM),配置电子背散射衍射仪(EBSD)和X射线能谱仪(EDS)一体化分析系统,测试了半导体外延材料中的应力分布,以及应变的多晶材料的微观结构变化。
在单晶异质外延材...
- 田彦宝
- 关键词：应力分布微观结构
- 文献传递
- GaN外延结构中微区应变场的测量和评价
- 2008年
- 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量GaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FFT)提取菊池花样的衍射强度,识别GaN外延结构中的应变/无应变区域.
- 王俊忠吉元田彦宝牛南辉徐晨韩军郭霞沈光地
- 关键词：GAN外延层
- Ni-W合金原位拉伸形变的电子背散射衍射分析
- 2008年
- 采用配置在场发射扫描电镜中的电子背散射衍射仪和应变微拉伸仪,统计分析了Ni-W合金在原位单轴拉伸变形过程中,显微结构、晶界分布、晶粒转动及晶体学取向的变化。在形变(ε=22%)过程中,Ni-9%W合金中的大量晶粒转动,产生滑移,并分为亚晶。应变使大角度晶界的含量增加,挛晶界明显减小,晶粒转动量达15°。立方织构(001)[100]随拉伸形变量的增加而减小。
- 王丽田彦宝张隐奇吉元索红利高忙忙祝永华
- 关键词：电子背散射衍射晶界特征
- 一种样品固定台及包含其的冷冻扫描电镜
- 本发明涉及样品固定装置技术领域，具体涉及了一种样品固定台，包括：底座和设置于底座上的柱体，柱体上端设置多个样品放置位，样品放置位上设置用以固定样品的固定部；还涉及了一种包含上述样品固定台的冷冻扫描电镜。本发明提供的一种样...
- 田彦宝
- 扫描电镜中的电子反射镜像现象及应用被引量：2
- 2007年
- 观察非导电样品在扫描电镜(SEM)中产生的电子镜现象。研究了电子镜出现的条件,监测了电子镜像出现过程中表面电势Es和吸收电流Ia的变化。结果表明,当Es达到7 kV-9 kV时出现了电子镜像。当电子总发射产额σ■1,Es■ 4kV,及Ia■0时,形成了稳定而无畸变的电子镜像。利用电子镜现象可确定电子散射率及入射电子能量的临界值E2,以及评价非导电样品导电性能。
- 张隐奇吉元田彦宝付景永徐学东戴琳王丽
- 关键词：扫描电镜非导电材料
