- Mn掺杂Ga/_2O/_3薄膜的制备、结构和光学性能研究
- Ga/_2O/_3是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度/(E/_g/)为4.2～4.9 eV,其导电性能和发光特性长期以来一直受到人们的关注。Ga/_2O/_3有5种晶体结构,包括α-Ga/_2O/_3、β-Ga/_2O/_...
- 胡帆
- 关键词：MN掺杂磁控溅射光学性能
- 文献传递
- 钒掺杂纳米TiO_2薄膜的结构和光吸收性能被引量：31
- 2009年
- 采用磁控溅射法制备了不同V含量的纳米TiO2薄膜,利用SEM、XRD、Ram an光谱和UV-vis吸收光谱对V掺杂TiO2薄膜的表面形貌、结晶特性、晶格应力和光吸收性能进行了分析.结果表明,V掺杂可促进TiO2薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的哑铃状晶粒,且可抑制薄膜的晶格膨胀和金红石型晶粒的生成.V掺杂TiO2薄膜处于压应力状态,且应力随V含量增加而增大.V掺杂使导带底向带隙延伸,TiO2薄膜光学带隙变窄,光响应范围从紫外区红移到可见光区域,提高了薄膜对可见光的吸收率.
- 张晓勇晁明举梁二军胡帆袁斌
- 关键词：二氧化钛薄膜微观结构光吸收性能
- Mn掺杂Ga_2O_3薄膜的结构及光吸收性能研究被引量：10
- 2009年
- 采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。结果表明,适量掺杂Mn可抑制薄膜的晶格膨胀,促进Ga2O3薄膜晶粒的定向生长,得到尺寸分布较均匀的多面体晶粒。Mn掺杂使Ga2O3价带顶向带隙延伸,光学带隙变窄,吸收边红移,近紫外区吸收增强。
- 胡帆晁明举梁二军姜雅丽
- 关键词：MN掺杂磁控溅射微观结构光吸收性能
- Mn掺杂Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的制备、结构和光学性能研究
- Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>是一种宽禁带半导体材料,禁带宽度（E<sub>g</sub>）为4.2～4.9 eV,其导电性能和发光特性长期以来一直受到人们的关注。Ga<sub>2</sub>O<...
- 胡帆
- 关键词：MN掺杂光学性能
