胡靖华
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：武汉理工大学理学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 冲击压缩下纯铝中微孔洞塌陷的数值模拟被引量：1
- 2009年
- 由于实验中无法观察材料的孔洞在受冲击加载时的变形过程,本文对纯铝中孔洞的变形过程进行了数值模拟.采用了3种材料模型:双线性模型、塑性随动模型和应变率相关塑性模型,分别模拟了它们在冲击压缩下内部微孔洞的塌陷,并对结果作了详细的比较.结果表明:基体材料模型为双线性模型时,孔洞在冲击压缩下会出现射流现象,应变率的变化和材料的硬化方式不影响孔洞的变形;模型为应变率相关塑性模型时,孔洞在冲击压缩下不会出现射流现象,孔洞的变形与当前应变率和应变率历史相关;模型为塑性随动模型时,孔洞在压缩到某一时刻体积不会进一步缩小,孔洞周围单元会因失效而被删除,孔洞反而有变大的趋势,并且用这种模型模拟孔洞变形时,硬化系数会对孔洞变形有影响.通过对使用3种模型计算结果的比较,可以确定影响孔洞变形的主要因素.
- 胡靖华祁美兰
- 低温下替代无序合金电阻率的统计计算
- 2010年
- 由于合金是由排列无序的两种离子所组成,每个离子的移动互相不关联,并且只具有两个稳平衡点:最稳平衡点和亚稳平衡点.本文只考虑邻近离子的相互作用,采用双能级隧道模型理论,利用通常统计方法得到了合金电阻率对离子位置的平均和对温度的热力学平均的公式.运用一定的近似处理,计算了在低温(KT1)下替代无序合金的电阻率,得到合金电阻率可表示为ρ=A+BT,即温度的一次方函数,与已有的实验结果一致.
- 胡靖华胡耀祖
- 关键词：电阻率分布函数
- 自旋玻璃材料中弛豫机制的理论解释
- 2010年
- 基于Ising自旋玻璃模型,讨论自旋玻璃体系中自旋发生反转的条件,并讨论自旋玻璃体系发生磁化强度驰豫存在临界温度Tc和临界磁场hc,得到了当h
- 胡靖华孙晓东胡耀祖
- 关键词：自旋玻璃驰豫临界温度临界磁场
- 在磁场作用下量子阱中类氢杂质束缚能的计算
- 2010年
- 采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的互相作用,得到类氢杂质束缚能随磁场根方增加,随阱宽增加而减小,电子自能不受磁场影响。
- 胡靖华孙晓东胡耀祖
- 关键词：有效哈密顿量束缚能
- 1.6 GHz薄膜体声波谐振器研究被引量：1
- 2009年
- AlN材料具有良好的压电特性和很高的声波速度,是制作性能优良薄膜体声波器件的首选材料之一。对氮化铝薄膜体声波谐振器原理进行了分析,探讨了氮化铝薄膜体声波谐振器的设计方法,在制备高c-轴取向氮化铝薄膜的基础上,通过上电极和氮化铝薄膜一次光刻两步刻蚀工艺方法制作了1.6 GHz氮化铝薄膜体声波谐振器,并探讨了谐振器的频率影响因素。
- 胡靖华孙晓冬张凯张小玲胡光顾豪爽
- 关键词：薄膜体声波谐振器
- 基于TCD2252D的线径测量仪研究
- 2007年
- 分析了基于线阵图像传感器的线径测量仪的基本原理、硬件构成和软件设计。系统通过使用二值化电路对CCD视频信号进行处理,通过单片机对被遮挡像元计数在数码管上显示测量结果。试验结果表明,该测径仪结构简单,测量精度高。
- 胡靖华夏泽飞石城
- 关键词：单片机C51编程
- 紫外光辐照对TiO_2纳米线电输运性能的影响及磁阻效应研究被引量：1
- 2016年
- 采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法,利用热处理工艺,成功制备出了多晶锐钛矿型TiO_2纳米线,通过两线法在室温下测试单根TiO_2纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应.结果表明:在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线,零场电阻较大,在磁场作用下电阻下降,表现出负磁阻效应;紫外光辐照环境下TiO_2纳米线载流子浓度增加使得电阻变小,然而在磁场作用下电阻增大,表现为正磁阻效应.紫外光辐照导致的载流子浓度变化,使得负磁阻转变为正磁阻,我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果.
- 孙志刚庞雨雨胡靖华何雄李月仇
- 关键词：磁阻效应
- 磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究被引量：1
- 2009年
- 氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度,是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对AlN薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究,通过对AlN薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较,优化了取向性AlN薄膜的生长工艺条件,制备出了高取向和高致密的AlN薄膜。
- 张小玲孙晓冬张凯胡光胡靖华顾豪爽
- 关键词：氮化铝取向性反应磁控溅射
