赵彤
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：河北半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 半导体切断开关器件
- 简要论述了一种半导体切断开关器件SOS(Silicon Opening Switch).概述了该器件的工作原理、应用领域和目前研究的结果.该器件可以通过简单的串、并联构成组件,满足脉冲功率技术领域电感储能系统开关工作的需...
- 赵彤杨勇刘忠山崔占东
- 关键词：半导体脉冲功率泵浦方式
- 文献传递
- 高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
- 2009年
- 研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象。器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz。
- 田爱华崔占东赵彤刘英坤
- 关键词：4H-碳化硅双极晶体管电流增益截止频率
- n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究被引量：5
- 2007年
- 介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10-6Ω.cm2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础。同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定。
- 田爱华赵彤潘宏菽陈昊李亮霍玉柱
- 关键词：4H-SIC欧姆接触比接触电阻
- 亚微米门极孔径VMED
- 1994年
- 低电压下工作的场发射真空电子器件，要求尖锐的发射极锥尖和较小的发射极与阳极间距，因此要求首先制作出很小的门极孔径。采用接触曝光、金属剥离、氧化削尖等方法的结合，探索了几种制造具有亚微米级场发射阵列阴极栅孔ＶＭＥＤ的工艺途径。
- 夏曼赵彤
- 关键词：真空微电子器件
