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郑娥

作品数：2 被引量：11H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质薄膜
  • 1篇锗化硅
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇介质
  • 1篇介质薄膜
  • 1篇晶体管
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇发射极
  • 1篇SIO
  • 1篇MOS器件
  • 1篇SIGE

机构

  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学
  • 1篇电子科技大学

作者

  • 2篇何林
  • 2篇郑娥
  • 1篇谭开洲
  • 1篇刘其贵
  • 1篇李竞春
  • 1篇杨谟华
  • 1篇魏同立
  • 1篇杨沛峰
  • 1篇吴金

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究被引量：7
2001年
为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)
李竞春杨沛峰杨谟华谭开洲何林郑娥
关键词：栅介质薄膜锗化硅MOS器件
多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟被引量：4
2002年
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。
刘其贵吴金郑娥魏同立何林
关键词：多晶硅发射极双极晶体管计算机模拟
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