- 等离子体约束装置及具有其的等离子体处理装置
- 本发明提出一种等离子体约束装置，包括：约束环，约束环包括多个同心圆环，多个同心圆环之间的缝隙形成约束通道，约束环的高度大于等离子体的平均自由程，约束通道用于抑制等离子体通过；第一约束片，第一约束片设置在约束环的顶部，以封...
- 田凌段文睿韩文彬冯涓黄利平
- 文献传递
- 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
- 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一...
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- 文献传递
- 刻蚀机装备设计中的序贯试验设计方法研究被引量：1
- 2015年
- 450mm晶圆刻蚀机开发中大量应用确定性仿真来模拟腔室内部物理、化学环境,并通过仿真结果指导装备结构的详细设计。为控制仿真试验的采样规模以缩短开发周期,本文详细介绍一种新型的基于采样密度和非线性度的序贯设计方法。此方法通过蒙特卡洛方法,在设计空间中获得采样密度信息,进而对低采样密度区域增加采样点。另外,通过对每个采样的领域进行发掘,以获得采样的梯度和非线性度信息,进而对高度非线性的区域增加采样点。以450mm刻蚀机约束环设计模型和Goldstein-Price模型为背景,采用拉丁超立方和新型序贯设计方法同时采样,以代理模型精度和特征捕捉能力两个角度来对比采样结果的优劣,结果证明,在达到同样精度的前提下,新型序贯设计方法能有效减小采样规模,符合刻蚀装备设计的需要。
- 段文睿田凌韩文彬
- 关键词：元建模
- 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
- 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一...
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- 基于二次优化策略的约束环内稀薄气体粘度修正被引量：1
- 2015年
- 针对传统基于连续流假设的N-S方程无法准确描述约束环内稀薄气体问题，采取二次优化策略，确定了CFD-ACE＋中基于努森数的粘度修正公式参数a、b的最优值分别为0．12和1．40。对约束环内气体流动进行模拟仿真，结果表明：利用本文中的粘度修正公式，可以使约束环内稀薄气体的模拟仿真结果与实验测量值相一致，该公式在较宽的入口流量范围（200—2000mL／min之间）内应用均可控制仿真结果的相对偏差在±3％之内，其精度满足实际工程需要；并且，获得粘度修正公式参数的方法同样适用其它微通道内稀薄气体的研究，对相同工况下类似刻蚀腔室内气流仿真、新机型设计等亦有很大的指导意义。
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- 关键词：粘度修正稀薄气体
- 等离子体约束装置及具有其的等离子体处理装置
- 本发明提出一种等离子体约束装置，包括：约束环，约束环包括多个同心圆环，多个同心圆环之间的缝隙形成约束通道，约束环的高度大于等离子体的平均自由程，约束通道用于抑制等离子体通过；第一约束片，第一约束片设置在约束环的顶部，以封...
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- 文献传递
- 晶圆边缘离子平均入射角度数值模拟研究
- 2015年
- 针对晶圆边缘非垂直刻蚀剖面问题,对300mm双频容性耦合等离子体刻蚀机晶圆边缘离子平均入射角度的分布特性进行了数值模拟研究。采用流体动力学模型求解等离子体宏观特性,氩气作为工艺气体,以一个射频周期内平均离子通量的矢量方向近似为离子平均入射角度,研究发现：边缘效应导致的晶圆边缘鞘层畸变是引起离子平均入射角度偏斜垂直方向的主要原因;晶圆外伸量与可利用半径近似呈负相关关系,且只会影响晶圆边缘向内约10-15mm区域的离子平均入射角度分布;上接地板半径和喷淋头半径影响范围较大,在晶圆半径超过100mm外均有较大影响;适当增大上接地板半径有利于提高离子平均入射角度的垂直性和增大晶圆的有效利用面积,而喷淋头半径在略小于晶圆半径时较佳。
- 韩文彬冯涓武园浩段文睿
