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杨喜超
作品数:
54
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供职机构:
华为技术有限公司
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
一般工业技术
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合作作者
赵静
华为技术有限公司
吴昊
华为技术有限公司
张岩
华为技术有限公司
张恒
华为技术有限公司
张敏
华为技术有限公司
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作者
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杨喜超
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2016
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4篇
2014
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54
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一种制作纳米线的方法
本发明实施例公开了一种制作纳米线的方法,包括:在衬底上表面沉积生长第一牺牲物,沿第一牺牲物的N个外表面沉积生长第一隔离物,以第一隔离物为掩模各向异性刻蚀衬底,移除第一隔离物,得到第一组半导体鳍条,使用填充物填充衬底被刻蚀...
杨喜超
吴昊
赵静
张臣雄
文献传递
隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法
一种隧穿晶体管及隧穿晶体管的制造方法,其中,一种隧穿晶体管,包括衬底(10)、源极区域(20)、沟道(60)、两个漏极区域(70)、栅介质层(30)及栅极区域(40),所述源极区域(20)形成于所述衬底(10)之上,所述...
赵静
杨喜超
吴昊
张臣雄
文献传递
铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备
本申请提供了一种铁电存储阵列的控制器、控制方法及相关设备,该控制器用于控制铁电存储阵列,铁电存储阵列包括阵列部署的多个铁电存储单元;控制器用于在向目标行中各所述存储单元连接的第一WL输入全选导通电平且向各所述存储单元连接...
李昊
贾秀峰
张敏
杨喜超
张恒
吕杭炳
许俊豪
隧穿场效应管及其制造方法、芯片
本申请公开了一种隧穿场效应管及其制造方法、芯片,属于半导体技术领域。所述方法包括:在基底上形成掩膜结构,并对基底进行第一离子的第一注入处理;在基底上形成第一侧墙,并对基底进行第一离子的第二注入处理;在基底中已注入第一离子...
杨喜超
文献传递
一种多层薄膜制备方法及多层薄膜
本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜,其中方法主要包括:制备第一材料层,进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中,每个第二材料层包括第二衬底,第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法,可以在多层...
秦健鹰
杨喜超
邢彦敏
张岩
魏侠
隧穿场效应晶体管器件制造方法及隧穿场效应晶体管器件
一种TFET器件制造方法及TFET器件,属于晶体管制造技术领域。该方法包括:在硅基材(21)上方形成主轴图案,主轴图案的材质为多晶硅(23);形成围绕主轴图案的侧壁(251);采用自对准工艺在硅基材(21)的第一区域形成...
蔡皓程
杨喜超
张臣雄
文献传递
三维铁电存储器及电子设备
本申请实施例属于存储设备技术领域,具体涉及一种三维铁电存储器及电子设备。本申请实施例旨在解决相关技术中三维铁电存储器的尺寸较大,难以实现三维铁电存储器的小型化的问题。本申请实施的三维铁电存储器及电子设备,存储层包括参考层...
魏侠
杨喜超
张岩
秦健鹰
一种半浮栅器件及其制备方法
本发明公开了一种半浮栅器件及其制备方法,用于解决现有的半浮栅晶体管存在的多种缺陷。本发明半浮栅器件包括:具有第一种掺杂类型的半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成的凸体;在所述半导体衬底的一侧形成的、具有第二种掺杂类型的漏...
杨喜超
赵静
张臣雄
文献传递
一种存储器件及其制造方法、电子设备
本申请实施例公开了一种存储器件及其制造方法、电子设备,存储器件包括衬底、衬底上的存储层、贯穿存储层的隔离沟槽、隔离沟槽中填充的绝缘材料、纵向贯穿绝缘材料的导体塞,存储层可以包括交替层叠的多层铁电层和多层导体层,在隔离沟槽...
李小波
秦健鹰
杨喜超
胡小剑
铁电存储器以及电子设备
一种铁电存储器(100)和电子设备,该铁电存储器(100)包括铁电存储单元(10)、第一电压线(m)和第二电压线(n),铁电存储单元(10)包括铁电薄膜层(101)、第一电极(102)和第二电极(103);所述第一电极(...
张岩
杨喜超
魏侠
秦健鹰
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