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张晓菲

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇中文专利

主题

  • 14篇击穿
  • 13篇功率器件
  • 12篇电路
  • 12篇结终端
  • 12篇击穿电压
  • 10篇曲率
  • 10篇半导体
  • 7篇衬底
  • 6篇高压功率器件
  • 6篇半导体技术
  • 5篇电阻
  • 5篇耐压
  • 4篇堆叠
  • 4篇内壁
  • 4篇过温保护
  • 4篇过温保护电路
  • 4篇ESD保护
  • 4篇ESD保护电...
  • 3篇恒定电流
  • 3篇半导体工艺

机构

  • 28篇电子科技大学

作者

  • 28篇乔明
  • 28篇张晓菲
  • 27篇张波
  • 17篇代刚
  • 16篇王裕如
  • 8篇方冬
  • 7篇陈钢
  • 6篇李阳
  • 6篇马金荣
  • 5篇何逸涛
  • 4篇张康
  • 4篇周锌
  • 2篇张昕
  • 2篇齐钊
  • 2篇甘志
  • 1篇于亮亮

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 12篇2015
  • 2篇2014
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明王裕如张晓菲方冬代刚张波
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过温保护电路
本发明公开了一种过温保护电路，包括恒定电流产生电路、输出控制电路、输出整形电路，恒定电流产生电路用于为过温保护电路提供稳定的电流偏置；输出控制电路用于将温度信号转换为电信号，并控制过温保护电路的输出；输出整形电路用于将输...
乔明陈钢李阳张晓菲李妍月张波
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一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构
一种硅基薄外延单RESURF电平位移结构，属于半导体功率器件技术领域。包括基于浮动地的高端电路、终端、LDMOS、第一弯道区、第二弯道区；对于第一弯道区，增加漏极曲率半径以达到耐压需求；对于第二弯道区，增大第二弯道区漂移...
乔明张晓菲王裕如代刚张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明代刚张晓菲王裕如方冬张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米。在实际工艺中，N型漂移区2通过离子注入形成，在退...
乔明王裕如张晓菲代刚周锌何逸涛张波
一种横向高压功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，曲率结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2，P型埋层9和N型掺杂层10的...
乔明代刚张晓菲王裕如方冬张波
一种横向恒流二极管及其制造方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说涉及一种横向恒流二极管及其制造方法。本发明所述的横向恒流二极管，其特征在于通过在普通恒流二极管的源极引入负反馈电阻，从而使恒流二极管的特性更加优良。本发明的有益效果为，引入的电阻...
乔明张康代刚何逸涛于亮亮张晓菲
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一种超结结构的制备方法
本发明提供了一种超结结构的制备方法，属于半导体工艺制造技术领域。包括以下步骤：1)在衬底上制备第一N型外延层；2)采用多次高能离子注入工艺，在第一N型外延层需要制作P型柱的区域注入P型杂质，形成第一注入区；3)在第一N型...
乔明张晓菲代刚王裕如张康陈钢李阳张波
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