任宇
- 作品数：16 被引量：34H指数：1
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 一种级联式高压固态开关
- 本发明公开了一种级联式高压固态开关，包括第一控制信号端子、第二控制信号端子、第一控制供电端子、第二控制供电端子、第一功率接线端子、第二功率接线端子、门极驱动电路、MOS管级联器件及动静态均压电路，该高压固态开关采用器件级...
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- 一种全固态直流断路器及其控制方法
- 本发明提供一种全固态直流断路器及其控制方法，直流断路器的拓扑结构包括串联连接的承压开关和换流开关组成的换流支路、与换流支路并联的断流支路、与换流支路并联的能量吸收支路和剩余电流切断开关，剩余电流切断开关与并联连接的换流支...
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- 一种适用于固态直流断路器的IGBT串联均压电路被引量：34
- 2016年
- 机械–固态半导体混合式以及纯固态式直流断路器的发明和使用为大规模高压直流输电系统的发展提供了新的契机。在纯固态直流断路器中,通常将大功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)串联起来以承受断路器关断过程中的过电压。但是,由于大功率的IGBT价格昂贵且对瞬态过电压十分敏感,所以串联IGBT关断过程中的均压问题需要得到充分的考虑。为了解决固态直流断路器中串联IGBT间的不均压问题,首先对引起不均压的因素进行了深入的研究。另外,为了使串联IGBT之间的关断过电压的不一致性降到最小,提出一种门极均压控制电路和相应的控制方法。实验结果表明,通过使用提出的均压控制电路和相应的控制方法,串联IGBT关断过电压的不均衡得到了有效抑制。因此,系统的可靠性得到了有效的提升。
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- 关键词：高压直流输电绝缘栅双极晶体管均压
- 多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板
- 本发明公开了一种多SiC MOSFET芯片并联功率模块驱动控制电路及其印制电路板，包括正电压输入端子、负电压输入端子、驱动信号输入端子、接地线、驱动芯片、第一解耦电容、第二解耦电容、总驱动电阻、第一稳压二极管、第二稳压二...
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- 一种IGBT串联均压电路及方法
- 本发明公开了一种IGBT串联均压电路及方法，包括全局控制电路、N个本地控制电路、N个IGBT、N个二极管，全局控制电路与各本地控制电路相连接，第i个本地控制电路与第i个IGBT的门极相连接，前一个IGBT的发射极与后一个...
- 张帆杨旭任宇田莫帆
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- 一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法
- 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法，包括SiC直流固态断路器、第一功率端子、第二功率端子、混合开关及控制系统，SiC直流固态断路器包括阻尼支路、换流支路及高压SiC MOSFET开关，第...
- 任宇杨旭张帆王来利
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- 一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构
- 本发明公开了一种基于级联SiC MOSFET的全固态直流断路器拓扑结构，包括控制单元及执行单元，其中，控制单元包括控制器及驱动器，执行单元包括第一控制端子、第二控制端子、第一功率端子、第二功率端子、二极管、第一电阻、第二...
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- 一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法
- 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法，包括SiC直流固态断路器、第一功率端子、第二功率端子、混合开关及控制系统，SiC直流固态断路器包括阻尼支路、换流支路及高压SiC MOSFET开关，第...
- 任宇杨旭张帆王来利
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- 一种IGBT串联均压电路及方法
- 本发明公开了一种IGBT串联均压电路及方法，包括全局控制电路、N个本地控制电路、N个IGBT、N个二极管，全局控制电路与各本地控制电路相连接，第i个本地控制电路与第i个IGBT的门极相连接，前一个IGBT的发射极与后一个...
- 张帆杨旭任宇田莫帆
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- 一种用于IGBT串联均压的延时匹配电路及方法
- 本发明公开了一种用于IGBT串联均压的延时匹配电路及方法，包括全局延时调整电路、N个本地采样录波电路、N个IGBT及N个二极管；所述全局延时调整电路与各本地采样录波电路相连接，第i个本地采样录波电路与第i各IGBT的门极...
- 张帆杨旭任宇田莫帆
