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徐顺强

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：国防科学技术大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 9篇存储器
  • 6篇功耗
  • 5篇低功耗
  • 5篇非挥发性存储...
  • 5篇擦除
  • 4篇微电子
  • 3篇读写
  • 3篇读写操作
  • 3篇隧穿
  • 3篇写操作
  • 3篇非挥发性
  • 3篇浮栅
  • 3篇编程
  • 3篇超低功耗
  • 2篇单端
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷补偿
  • 2篇电可擦除
  • 2篇信号
  • 2篇栅极

机构

  • 14篇国防科学技术...
  • 1篇湖南晟芯源微...

作者

  • 14篇徐顺强
  • 11篇李聪
  • 11篇王宏义
  • 10篇吴建飞
  • 10篇郑黎明
  • 9篇曾祥华
  • 8篇陈娅玲
  • 7篇李文晓
  • 2篇罗志鹏
  • 1篇李建成
  • 1篇尚靖

年份

  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种单栅极的非挥发性存储器结构及其操作方法
本发明属于半导体技术领域的半导体器件技术，可进行多次写入和擦除的非挥发性存储器及其操作方法。单栅极的非挥发性存储器包括一个隧穿管与一个控制端电容，控制端电容做在P型衬底的N阱中，由N型重掺杂扩散区、浅槽隔离中的氧化层和浅...
徐顺强李建成李聪尚靖李文晓曾祥华吴建飞王宏义李浩
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一种电可擦除编程非挥发性存储器及操作方法
本发明属于半导体器件领域，具体公开了一种电可擦除编程非挥发性存储器及操作方法；所述一种电可擦除编程非挥发性存储器，包括控制管Mc0和Mc1，隧穿管Mt0和Mt1，读取管Mr0和Mr1，选择管Ms0和Ms1，还包括一个高压...
徐顺强李聪王宏义陈娅玲吴建飞曾祥华郑黎明
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一种降低单栅极非挥发性存储器读操作功耗的方法
本申请涉及一种降低单栅极非挥发性存储器。所述存储器包括：多个存储单元；存储单元之间阵列连接；存储单元采用差分接线；存储单元差分接线的一边包括：控制管、遂穿管、读取管以及选择管；控制管的一端连接控制端，另一端分别连接遂穿管...
王宏义徐顺强吴建飞郑黎明
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一种非挥发性存储器单元、存储器及操作方法
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种非挥发性存储器单元、存储器及操作方法。所述非挥发性存储器单元由3个晶体管组成，分别为控制管Mc、隧穿管Mt和选择管Ms；所述控制管Mc的栅极和隧穿管Mt的栅极相连组成浮栅；所述隧穿管...
李聪徐顺强王宏义罗志鹏郑黎明吴建飞王佳宋
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一种低功耗可校准高压稳压电路
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路，包括隔离高压模块1、电压复位模块一2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二4、电荷补偿模块5和控制模块6；所述隔离高压模块1由一个PMOS晶体管M1构成；...
王宏义李文晓李聪曾祥华郑黎明吴建飞陈娅玲徐顺强
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一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法
本发明属于半导体技术领域的半导体器件模拟与测试技术，公开了一种双栅极场效应晶体管电容的测试方法，包括：步骤1：采用单栅极场效应晶体管电容的测试方法，将源极、漏极、第二栅极接地，在第一栅极上加偏置和交流信号，测出第一栅极对...
李建成徐顺强李聪尚靖李文晓吴建飞曾祥华郑黎明
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一种低功耗可校准高压稳压电路
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种低功耗可校准高压稳压电路，包括隔离高压模块1、电压复位模块一2、带校准电容的分压模块3、电压复位模块二4、电荷补偿模块5和控制模块6；所述隔离高压模块1由一个PMOS晶体管M1构成；...
王宏义李文晓李聪曾祥华郑黎明吴建飞陈娅玲徐顺强
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一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，包括步骤：(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元端口均连接电压V2；(2)启动写命令，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V...
王宏义李文晓曾祥华李聪陈娅玲徐顺强郑黎明吴建飞
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一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构
本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有超低功耗、高速、适用性强的灵敏放大器结构，由均压模块A、信号传输开关模块B、信号放大模块C构成，均压模块A是用来在电路处于空闲状态时对输入端口IN0、IN1进行置零并均衡这两个输入...
曾祥华王宏义李文晓李聪陈娅玲徐顺强
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一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种面向标准CMOS工艺非易失存储器的高压切换方法，包括步骤：(1)存储器阵列上电，将存储阵列中所有存储单元端口均连接电压V2；(2)启动写命令，将存储阵列中所有存储单元的端口均连接电压V...
王宏义李文晓曾祥华李聪陈娅玲徐顺强郑黎明吴建飞
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