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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化硼薄膜
  • 1篇阈值电压
  • 1篇显示器
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇膜厚
  • 1篇薄膜厚度
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射特性
  • 1篇场发射显示
  • 1篇场发射显示器
  • 1篇粗糙度

机构

  • 1篇吉林大学
  • 1篇吉林省科学技...

作者

  • 1篇赵永年
  • 1篇顾广瑞
  • 1篇冯伟
  • 1篇殷红
  • 1篇白玉白
  • 1篇刘艳梅
  • 1篇李卫青
  • 1篇李英爱
  • 1篇何志
  • 1篇陶艳春
  • 1篇田野

传媒

  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2003
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响被引量:2
2003年
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54~124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.
顾广瑞李英爱刘艳梅陶艳春何志殷红李卫青冯伟白玉白田野赵永年
关键词:氮化硼薄膜薄膜厚度场发射特性阈值电压表面粗糙度场发射显示器
共1页<1>
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