单丹
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：扬州工业职业技术学院电子信息工程系更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- B位等价掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料的性能研究被引量：5
- 2009年
- 采用了传统的固相烧结工艺,制备了不同Zr和Hf掺杂量的SrBi4Ti4-xZrxO15(x=0.00,0.03,0.06,0.10,0.20)和SrBi4Ti4-xHfxO15(x=0.00,0.005,0.015,0.030,0.060)的陶瓷样品.用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量了其铁电、介电和压电性能.结果发现,Zr和Hf的掺杂未改变SrBi4Ti4O15(SBTi)的晶体结构.与B位高价掺杂(V,Nb)相比,等价的Zr和Hf掺杂同样可以提高SBTi陶瓷的铁电性能,随着掺杂量的增加,SrBi4Ti4-xZrxO15(SBTZ)和SrBi4Ti4-xHfxO15(SBTH)样品的剩余极化(2Pr)先增大后减小,在x=0.03时同时达到了最大值,分别为21.7和27.1μC/cm2,与SBTi相比2Pr分别增加了42%和80%,铁电性能显著提高.同时还发现,同族元素Zr4+和Hf4+虽然有相同的化合价和相近的离子半径,但是相同的掺杂量下对SBTi陶瓷的铁电性能的影响却相差很大,这需要更进一步的研究.SBTZ和SBTH样品的压电性能随着掺杂量的增加先增大后减小,压电系数在x=0.03时同时达到了最大值,分别为15.5和17.3pC/N.
- 单丹朱珺钏金灿陈小兵
- 关键词：铁电性能介电性能
- A位Bi掺杂对(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3无铅压电陶瓷性能研究
- 2010年
- 采用传统的固相烧结工艺制备不同Bi掺杂量的(K0.5Na0.5)NbO3-xBi2O3(KNN-xBi2O3)(x=0.00,0.005,0.010,0.015,0.020)的陶瓷样品。用X射线衍射对其微结构进行了分析,并测量介电和压电性能。结果发现,适量Bi掺杂未改变KNN的结构,过量的Bi掺杂使得KNN的介电峰出现了宽化现象,导致了弥散相变。文章还指出少量的Bi掺杂使得KNN陶瓷的密度和压电性能有所提高,KNN-xBi2O3样品的压电性能随着掺杂量的增加先增大后减小,压电系数(d33)在x=0.005时达到了最大值,为67.1 pC/N。
- 单丹
- 关键词：压电材料介电性能压电性能
