周航宇
- 作品数：9 被引量：28H指数：4
- 供职机构：天津津航技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- InGaAs短波红外探测器
- 与 InP 衬底晶格常数相匹配的 InGaAs 材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率。通过对 InGaAs 探测器芯片平面和平台...
- 潘建旋以善珍周航宇
- 关键词：短波红外INGAAS探测器室温
- 文献传递
- InGaAs可见/短波红外焦平面探测器新进展被引量：14
- 2007年
- In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分x值的不同在0.87μm(GaAs)～3.5μm(InAs)范围内变化。InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用和可在常温下工作的特点,使其成为焦平面成像领域的研究热点。国际市场已有商业化产品,主要应用于民用、军用、航空、空间遥感等领域。在介绍In1-xGaxAs短波红外焦平面探测器的主要特性及研制进展的基础上,重点介绍了国际上在InGaAs光谱响应范围向可见光扩展的研究动向。
- 陈洪钧周航宇
- 关键词：INGAAS焦平面红外探测器
- InGaAs可见/短波红外焦平面探测器新进展
- In1-xGaxAs是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,其光谱响应截止波长可随合金组分X值的不同在0.87μm(GaAs)至3.5μm(InAs)范围内变化.随着InGaAs材料在光通讯领域的广泛应用,及可在常温下工作的...
- 陈洪钧周航宇
- 关键词：INGAAS焦平面红外探测器化合物半导体
- 文献传递
- 红外探测器专用前置放大电路低温特性的研究被引量：4
- 2007年
- 红外探测系统被广泛地应用于航空航天、军事、通信等领域。前置放大器低温性能的改善直接影响到整个系统探测精度的提高。从理论上分析了MOS器件低温性能参数的变化,设计了一种红外探测器处理电路专用的CMOS低功耗电流型前置放大器,并采用0.35-m标准CMOS工艺流片,进行了常温(300 K)和低温(77 K)测试。测试结果表明,该运放电路在低温工作时放大倍数线性度良好,功耗等性能得到改善;但是带宽、失调、输入线性范围等性能下降。针对实验结果给出了初步理论分析。
- 赵毅强孙淑云周航宇王健以善珍胡绍婷
- 关键词：前置放大器红外探测器
- 一种集成光学器件的寿命研究
- 常温下估计集成光学器件的贮存寿命和使用寿命是一项周期较长工作。针对此问题对集成光学器件进行了寿命研究,提出了根据器件的物理特性和使用特性,用高温加速贮存寿命试验和高温加速使用寿命试验[1]来等效环境应力产生的影响,在较短...
- 康佳张岩周航宇方亚
- 关键词：寿命研究
- 文献传递
- 基于ICCD相机的瞬态光谱成像技术
- ICCD相机所具有的电子快门选通功能,适用于低照度、窄门宽探测以及与脉冲激光器配合使用的场合,可实现纳秒级时间间隔的开关转换,因而特别适用于瞬态光谱探测与分析。尤其是在激光诱导光谱技术中ICCD相机应用触发、同步技术,捕...
- 许蓉郑焕东周航宇
- 关键词：ICCD瞬态光谱光电探测
- 文献传递
- 256线列短波红外探测器组件及其成像系统的研究
- 本文设计的红外探测器组件由256元探测器线列及CMOS读出电路芯片混合封装而成,其中读出电路芯片实现了光电流积分、相关双采样、数字可编程增益放大及其模数转换电路的单片集成,是具有光电转换、固定模式噪声消除、曝光时间和放大...
- 杨栋周航宇陈洪钧
- 关键词：红外探测器读出电路FPGA平台
- 文献传递
- 基于自偏置电流镜的CMOS红外焦平面读出电路被引量：7
- 2010年
- 针对高精度红外焦平面阵列应用设计了一种具有高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、小面积和低功耗的自偏置电流镜注入CMOS读出电路。所设计的电路结构包括一种由自偏置的宽摆幅PMOS共源共栅电流镜和NMOS电流镜构成的反馈结构读出单元电路和相关双采样电路。对所设计电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺进行了流片。测试结果显示：电路线性度达到了99%,探测器两端偏压小于1 mV。电路输入阻抗近似为0,单元电路面积为10μm×15μm,功耗小于0.4μW。电量存储能力3 108电子。测试结果表明：电路功能和性能都达到了设计要求。
- 李辛毅姚素英赵毅强陈洪钧周航宇
- 关键词：读出集成电路红外焦平面阵列
- InGaAs短波红外探测器被引量：5
- 2007年
- 与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.
- 潘建旋以善珍周航宇
- 关键词：短波红外INGAAS探测器室温
