您的位置： 专家智库 > >

吴贵阳

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信社会学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇电场
  • 4篇电场强度
  • 4篇电压
  • 4篇雪崩
  • 4篇偏压
  • 4篇高压晶体管
  • 4篇反向偏压
  • 4篇分压
  • 4篇场强
  • 2篇电极
  • 2篇电极结构
  • 2篇氧化层
  • 2篇刻蚀
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇导体
  • 1篇电流增益
  • 1篇电路
  • 1篇电子辐照

机构

  • 8篇杭州士兰集成...

作者

  • 8篇吴贵阳
  • 5篇王英杰
  • 4篇王平
  • 4篇崔健
  • 3篇刘宪成
  • 1篇王平

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 9 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
半导体结构及集成电路
公开了一种半导体结构及集成电路，半导体结构包括衬底，衬底具有第一掺杂类型；位于衬底上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；位于外延层中的基区以及发射区，发射区与基区接触，发射区具有第一掺杂类型，基区具有第二掺杂类型，第一掺杂...
吴贵阳刘宪成闫赵宇胡海峰
平面高压晶体管的分压环的制造方法
本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在PN结反向偏压时分压...
王英杰吴贵阳崔健王平
文献传递
一种半导体光敏器件
一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区场氧化层，暴露出至少部分的光敏区；减反射层，覆盖光敏区、场氧化层的表面和侧壁；刻蚀停止层，位于减反射层上，暴露出减反射层位于光敏区上方的至少部分，刻蚀停止层包括第一部分和围绕第一...
吴贵阳胡海峰陈秋芳刘宪成
平面高压晶体管的分压环的制造方法
本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在PN结反向偏压时分压...
王英杰吴贵阳崔健王平
文献传递
不同钝化结构开关晶体管的电子辐照退火特性
2015年
在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同二次钝化结构的npn型开关晶体管参数(ts,hFE和两个不同电路下hFE的比值K)的差异,并分析了不同二次钝化结构电参数的差异的原因。结果表明,在降低辐照诱导的表面复合电流、提高晶体管的综合电学性能方面,纯氮化硅膜的二次钝化结构为最优选择。这种结构在存贮时间ts满足器件要求的同时,电流增益hFE和K值衰减幅度最小。这个结论有助于开关晶体管结构设计优化。
王平吴贵阳王英杰
关键词：开关晶体管电子辐照氮化硅电流增益
平面高压晶体管的分压环的制造方法及其结构
本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法及其结构，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在PN结反向偏...
王英杰吴贵阳崔健王平
文献传递
平面高压晶体管的分压环的制造方法及其结构
本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法及其结构，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在PN结反向偏...
王英杰吴贵阳崔健王平
一种半导体光敏器件
本申请公开了一种半导体光敏器件，包括：半导体层；光敏区，暴露于所述半导体层的第一表面；场氧化层，位于所述半导体层的第一表面，且暴露出至少部分的所述光敏区；减反射层，位于所述半导体层的第一表面，覆盖所述光敏区、所述场氧化层...
吴贵阳陈秋芳胡海峰刘宪成
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0